Waarom is het altijd moeilijk om het gebruik en de vervanging van MOSFET's met hoog vermogen te testen met een multimeter?

Over MOSFET met hoog vermogen was een van de ingenieurs die dit onderwerp graag wilde bespreken, dus hebben we de algemene en ongebruikelijke kennis vanMOSFET, Ik hoop ingenieurs te helpen. Laten we het hebben over MOSFET, een zeer belangrijk onderdeel!

Antistatische bescherming

High-power MOSFET is een geïsoleerde poortveldeffectbuis, de poort is geen gelijkstroomcircuit, de ingangsimpedantie is extreem hoog, het is heel gemakkelijk om statische ladingsaggregatie te veroorzaken, resulterend in een hoge spanning zal de poort en de bron zijn de isolatielaag tussen de doorslag.

Het merendeel van de vroege productie van MOSFET's heeft geen antistatische maatregelen, dus wees zeer voorzichtig bij het bewaren en toepassen, vooral de MOSFET's met een kleiner vermogen, vanwege de kleinere MOSFET-ingangscapaciteit is de ingangscapaciteit relatief klein, wanneer blootgesteld aan statische elektriciteit een hogere spanning, gemakkelijk veroorzaakt door elektrostatische storing.

De recente verbetering van MOSFET met hoog vermogen is een relatief groot verschil, in de eerste plaats omdat de functie van een grotere ingangscapaciteit ook groter is, zodat contact met statische elektriciteit een oplaadproces heeft, wat resulteert in een kleinere spanning, waardoor doorslag ontstaat van de mogelijkheid van kleinere, en dan weer, nu de high-power MOSFET in de interne poort en de bron van de poort en de bron van een beschermde regelaar DZ, de statische ingebed in de bescherming van de regelaar diode spanningsregelaar waarde Hieronder effectief bescherm de poort en de bron van de isolatielaag, ander vermogen, verschillende modellen MOSFET-beschermingsregelaar diode-spanningsregelaarwaarde is anders.

Hoewel de MOSFET interne beschermingsmaatregelen met hoog vermogen heeft, moeten we werken in overeenstemming met de antistatische bedieningsprocedures, waarover gekwalificeerd onderhoudspersoneel moet beschikken.

Detectie en vervanging

Bij de reparatie van televisies en elektrische apparatuur zult u te maken krijgen met een verscheidenheid aan schade aan onderdelen,MOSFETis er ook een van, en zo gebruikt ons onderhoudspersoneel de veelgebruikte multimeter om de goede en slechte, goede en slechte MOSFET te bepalen. Bij de vervanging van MOSFET als er niet dezelfde fabrikant en hetzelfde model is, hoe kan het probleem worden vervangen.

1, krachtige MOSFET-test:

Als algemeen elektrisch tv-reparatiepersoneel bij het meten van kristaltransistors of diodes, meestal met behulp van een gewone multimeter om de goede en slechte transistors of diodes te bepalen, hoewel het oordeel van de elektrische parameters van de transistor of diode niet kan worden bevestigd, maar zolang de methode is correct voor de bevestiging van kristaltransistors "goed" en "slecht" of "slecht" voor de bevestiging van kristaltransistors. "Slecht" of geen probleem. Op dezelfde manier kan MOSFET dat ook zijn

Het kan ook aan de behoeften voldoen om de multimeter toe te passen om zijn "goed" en "slecht" te bepalen, vanuit het algemene onderhoud.

Voor de detectie moet gebruik worden gemaakt van een pointer-multimeter (digitale meter is niet geschikt voor het meten van halfgeleiderapparaten). Voor MOSFET-schakelbuizen van het stroomtype zijn N-kanaalverbeteringen, de producten van de fabrikanten gebruiken bijna allemaal dezelfde TO-220F-pakketvorm (verwijst naar de schakelende voeding voor het vermogen van 50-200W van de veldeffectschakelbuis) , de opstelling met drie elektroden is ook consistent, dat wil zeggen de drie

Vastgespeld, printmodel naar zichzelf gericht, de linkerpin voor de poort, de rechter testpin voor de bron, de middelste pin voor de afvoer.

(1) multimeter en aanverwante voorbereidingen:

Allereerst, voordat de meting de multimeter zou moeten kunnen gebruiken, vooral de toepassing van ohm-versnelling, om te begrijpen dat het ohm-blok de juiste toepassing van ohm-blok zal zijn om de kristaltransistor te meten enMOSFET.

Met de multimeter kan het ohm-blok de ohm-middenschaal niet te groot zijn, bij voorkeur minder dan 12 Ω (500-type tabel voor 12 Ω), zodat in het R × 1-blok een grotere stroom kan optreden, voor de PN-overgang van de voorwaartse kenmerken van het oordeel nauwkeuriger zijn. Multimeter R × 10K blok interne batterij is het beste groter dan 9V, zodat bij het meten van de PN-overgang de inverse lekstroom nauwkeuriger is, anders kan de lekkage niet worden gemeten.

Nu vanwege de voortgang van het productieproces, de fabrieksscreening, het testen zeer streng is, beoordelen we over het algemeen zolang het oordeel van de MOSFET niet lekt, de kortsluiting niet doorbreekt, de interne niet-circuiting, kan zijn onderweg versterkt, is de methode uiterst eenvoudig:

Met behulp van een multimeter R × 10K-blok; De interne batterij van het R × 10K-blok is over het algemeen 9V plus 1,5V tot 10,5V. Deze spanning wordt over het algemeen als voldoende PN-junctie-inversielekkage beschouwd, de rode pen van de multimeter is negatief potentiaal (verbonden met de negatieve pool van de interne batterij), de zwarte pen van de multimeter is positief potentiaal (aangesloten op de positieve pool van de interne batterij).

(2) Testprocedure:

Sluit de rode pen aan op de bron van de MOSFET S; sluit de zwarte pen aan op de afvoer van de MOSFET D. Op dit moment moet de naaldindicatie oneindig zijn. Als er een ohmse index is die aangeeft dat de te testen buis lekkage vertoont, kan deze buis niet worden gebruikt.

Handhaaf de bovenstaande staat; op dit moment met een weerstand van 100K ~ 200K aangesloten op de gate en drain; op dit moment moet de naald het aantal ohm aangeven, hoe kleiner hoe beter, over het algemeen kan dit worden aangegeven tot 0 ohm, deze keer is het een positieve lading via de 100K-weerstand op de MOSFET-poortlading, resulterend in een elektrisch poortveld, als gevolg van het elektrische veld gegenereerd door het geleidende kanaal, resulterend in de afvoer- en brongeleiding, dus de afbuiging van de multimeternaald, de afbuighoek is groot (de index van Ohm is klein) om te bewijzen dat de ontladingsprestaties goed zijn.

En dan wordt de weerstand aangesloten, dan moet de wijzer van de multimeter nog steeds de MOSFET op de index blijven staan. Hoewel de weerstand moet worden weggenomen, maar omdat de weerstand tegen de poort die door de lading wordt opgeladen niet verdwijnt, blijft het elektrische veld van de poort behouden en blijft het interne geleidende kanaal behouden, wat de kenmerken zijn van de MOSFET van het geïsoleerde poorttype.

Als de weerstand wordt weggenomen, zal de naald langzaam en geleidelijk terugkeren naar een hoge weerstand of zelfs terugkeren naar het oneindige, rekening houdend met de gemeten buispoortlekkage.

Op dit moment keerde de wijzer van de multimeter met een draad, verbonden met de poort en bron van de te testen buis, onmiddellijk terug naar oneindig. De aansluiting van de draad zodat de gemeten MOSFET, poortladingvrijgave, het interne elektrische veld verdwijnt; Het geleidende kanaal verdwijnt ook, waardoor de afvoer en bron tussen de weerstand en oneindig wordt.

2, krachtige MOSFET-vervanging

Bij de reparatie van televisies en allerlei soorten elektrische apparatuur moet schade aan onderdelen worden vervangen door onderdelen van hetzelfde type. Soms zijn dezelfde componenten echter niet bij de hand, het is noodzakelijk om andere soorten vervanging te gebruiken, zodat we rekening moeten houden met alle aspecten van prestaties, parameters, afmetingen, enz., zoals televisie in de lijnuitgangsbuis, zoals zolang de overweging van de spanning, stroom en vermogen over het algemeen kan worden vervangen (lijnuitgangsbuis heeft bijna dezelfde afmetingen als het uiterlijk), en het vermogen neigt groter en beter te zijn.

Voor MOSFET-vervanging, hoewel ook dit principe, is het het beste om het beste te prototypen, in het bijzonder niet om het vermogen groter te maken, omdat het vermogen groot is; ingangscapaciteit is groot, veranderd en excitatiecircuits komen niet overeen met de excitatie van de laadstroombegrenzende weerstand van het irrigatiecircuit van de grootte van de weerstandswaarde en de ingangscapaciteit van de MOSFET is gerelateerd aan de selectie van het vermogen van groot ondanks de capaciteit van groot, maar de ingangscapaciteit is ook groot, en de ingangscapaciteit is ook groot, en het vermogen is niet groot.

De ingangscapaciteit is ook groot, het excitatiecircuit is niet goed, wat op zijn beurt de MOSFET-aan- en uit-prestaties slechter zal maken. Toont de vervanging van verschillende modellen MOSFET's, rekening houdend met de ingangscapaciteit van deze parameter.

Er is bijvoorbeeld schade aan de hoogspanningskaart van een 42-inch LCD-TV-achtergrondverlichting, na controle van de interne MOSFET-schade met hoog vermogen, omdat er geen prototype-nummer van vervanging is, de keuze van een spanning, stroom en vermogen is niet minder dan de originele MOSFET-vervanging, het resultaat is dat de achtergrondverlichtingsbuis continu lijkt te flikkeren (opstartproblemen), en uiteindelijk vervangen door hetzelfde type origineel om het probleem op te lossen.

Bij gedetecteerde schade aan de MOSFET met hoog vermogen moet de vervanging van de perifere componenten van het perfusiecircuit ook worden vervangen, omdat de schade aan de MOSFET ook slechte componenten van het perfusiecircuit kan zijn die worden veroorzaakt door de schade aan de MOSFET. Zelfs als de MOSFET zelf beschadigd is, worden op het moment dat de MOSFET kapot gaat, ook de componenten van het perfusiecircuit beschadigd en moeten ze worden vervangen.

Net zoals we veel slimme reparatiemeesters hebben bij het repareren van de A3-schakelende voeding; zolang de schakelbuis defect blijkt te zijn, is het ook de voorkant van de 2SC3807-excitatiebuis samen met de vervanging om dezelfde reden (hoewel de 2SC3807-buis, gemeten met een multimeter, goed is).