Wat is het verschil tussen MOSFET en IGBT? Olukey beantwoordt uw vragen!

Als schakelelementen verschijnen MOSFET en IGBT vaak in elektronische schakelingen. Ze zijn ook qua uiterlijk en karakteristieke parameters vergelijkbaar. Ik denk dat veel mensen zich zullen afvragen waarom sommige circuits MOSFET moeten gebruiken, terwijl andere dat wel doen. IGBT?

Wat is het verschil tussen hen? Volgende,Olukeyzal uw vragen beantwoorden!

Wat is eenMOSFET?

MOSFET, de volledige Chinese naam is metaaloxide-halfgeleiderveldeffecttransistor. Omdat de gate van deze veldeffecttransistor geïsoleerd is door een isolatielaag, wordt hij ook wel een veldeffecttransistor met geïsoleerde gate genoemd. MOSFET kan worden onderverdeeld in twee typen: "N-type" en "P-type", afhankelijk van de polariteit van zijn "kanaal" (werkdraaggolf), gewoonlijk ook N MOSFET en P MOSFET genoemd.

De MOSFET zelf heeft zijn eigen parasitaire diode, die wordt gebruikt om te voorkomen dat de MOSFET doorbrandt wanneer VDD overspanning heeft. Omdat voordat de overspanning schade aan de MOSFET veroorzaakt, de diode eerst omgekeerd kapot gaat en de grote stroom naar aarde leidt, waardoor wordt voorkomen dat de MOSFET doorbrandt.

Wat is IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is een samengesteld halfgeleiderapparaat dat bestaat uit een transistor en een MOSFET.

De circuitsymbolen van IGBT zijn nog niet verenigd. Bij het tekenen van het schematische diagram worden over het algemeen de symbolen van triode en MOSFET geleend. Op dit moment kunt u beoordelen of het IGBT of MOSFET is aan de hand van het model dat in het schema is aangegeven.

Tegelijkertijd moet u er ook op letten of de IGBT een lichaamsdiode heeft. Als het niet op de foto staat, betekent dit niet dat het niet bestaat. Tenzij de officiële gegevens specifiek anders aangeven, is deze diode aanwezig. De lichaamsdiode in de IGBT is niet parasitair, maar is speciaal ontworpen om de fragiele tegenspanning van de IGBT te beschermen. Het wordt ook FWD (vrijloopdiode) genoemd.

De interne structuur van de twee is anders

De drie polen van MOSFET zijn source (S), drain (D) en gate (G).

De drie polen van IGBT zijn collector (C), emitter (E) en poort (G).

Een IGBT wordt geconstrueerd door een extra laag aan de afvoer van een MOSFET toe te voegen. Hun interne structuur is als volgt:

De toepassingsgebieden van de twee zijn verschillend

De interne structuren van MOSFET en IGBT zijn verschillend, wat hun toepassingsgebieden bepaalt.

Vanwege de structuur van MOSFET kan deze meestal een grote stroom bereiken, die KA kan bereiken, maar de vereiste spanningsbestendigheid is niet zo sterk als die van IGBT. De belangrijkste toepassingsgebieden zijn schakelvoedingen, voorschakelapparaten, hoogfrequente inductieverwarming, hoogfrequente inverterlasmachines, communicatievoedingen en andere hoogfrequente voedingsvelden.

IGBT kan veel stroom, stroom en spanning produceren, maar de frequentie is niet te hoog. Momenteel kan de harde schakelsnelheid van IGBT 100 KHZ bereiken. IGBT wordt veel gebruikt in lasmachines, omvormers, frequentieomvormers, galvanische elektrolytische voedingen, ultrasone inductieverwarming en andere velden.

Belangrijkste kenmerken van MOSFET en IGBT

MOSFET heeft de kenmerken van een hoge ingangsimpedantie, hoge schakelsnelheid, goede thermische stabiliteit, spanningsstuurstroom, enz. In het circuit kan het worden gebruikt als versterker, elektronische schakelaar en andere doeleinden.

Als een nieuw type elektronisch halfgeleiderapparaat heeft IGBT de kenmerken van een hoge ingangsimpedantie, een laag stroomverbruik voor de spanningsregeling, een eenvoudig regelcircuit, een hoge spanningsweerstand en een grote stroomtolerantie, en wordt het op grote schaal gebruikt in verschillende elektronische circuits.

Het ideale equivalente circuit van IGBT wordt weergegeven in de onderstaande afbeelding. IGBT is eigenlijk een combinatie van MOSFET en transistor. MOSFET heeft het nadeel van een hoge aan-weerstand, maar IGBT overwint deze tekortkoming. IGBT heeft nog steeds een lage aan-weerstand bij hoge spanning. .

Over het algemeen is het voordeel van MOSFET dat deze goede hoogfrequente eigenschappen heeft en kan werken op een frequentie van honderden kHz tot MHz. Het nadeel is dat de aan-weerstand groot is en het stroomverbruik groot is in situaties met hoge spanning en hoge stroomsterkte. IGBT presteert goed in situaties met lage frequentie en hoog vermogen, met een kleine aan-weerstand en een hoge weerstandsspanning.

Kies MOSFET of IGBT

In het circuit is de vraag of MOSFET als stroomschakelaarbuis of IGBT moet worden gekozen een vraag die ingenieurs vaak tegenkomen. Als factoren zoals de spanning, stroom en schakelvermogen van het systeem in aanmerking worden genomen, kunnen de volgende punten worden samengevat:

Mensen vragen vaak: "Is MOSFET of IGBT beter?" In feite is er geen goed of slecht verschil tussen de twee. Het belangrijkste is om de daadwerkelijke toepassing ervan te zien.

Als u nog vragen heeft over het verschil tussen MOSFET en IGBT, kunt u voor meer informatie contact opnemen met Olukey.

Olukey distribueert voornamelijk WINSOK MOSFET-producten voor midden- en laagspanning. De producten worden veel gebruikt in de militaire industrie, LED/LCD-driverboards, motordriverboards, snelladen, elektronische sigaretten, LCD-monitoren, voedingen, kleine huishoudelijke apparaten, medische producten en Bluetooth-producten. Elektronische weegschalen, voertuigelektronica, netwerkproducten, huishoudelijke apparaten, computerrandapparatuur en diverse digitale producten.