Productiemethode van MOSFET-aandrijfcircuit met hoog vermogen

Er zijn twee hoofdoplossingen:

Eén daarvan is het gebruik van een speciale driverchip om de MOSFET aan te sturen, of het gebruik van snelle fotokoppelaars. Transistors vormen een circuit om de MOSFET aan te sturen, maar het eerste type benadering vereist het voorzien in een onafhankelijke voeding; het andere type pulstransformator om de MOSFET aan te sturen, en in het pulsaandrijfcircuit, hoe de schakelfrequentie van het aandrijfcircuit te verbeteren om de aandrijfcapaciteit zoveel mogelijk te vergroten, om het aantal componenten te verminderen, is de dringende behoefte om de op te lossenhuidige problemen.

Het eerste type aandrijfschema, halve brug, vereist twee onafhankelijke voedingen; full-bridge vereist drie onafhankelijke voedingen, zowel halve-bridge als full-bridge, te veel componenten, niet bevorderlijk voor kostenbesparing.

Het tweede type rijprogramma en het patent komen het dichtst in de buurt van de stand van de techniek voor de uitvindingsnaam "een hoog vermogen".MOSFET drive circuit" patent (aanvraagnummer 200720309534.8), het patent voegt alleen een ontladingsweerstand toe om de poortbron van krachtige MOSFET-lading vrij te geven, om het doel van uitschakelen te bereiken, de dalende flank van het PWM-signaal is groot. De de dalende flank van het PWM-signaal is groot, wat zal leiden tot een langzame uitschakeling van de MOSFET, het vermogensverlies is erg groot;

Bovendien is het MOSFET-werk van het patentprogramma gevoelig voor interferentie en moet de PWM-besturingschip een groot uitgangsvermogen hebben, waardoor de chiptemperatuur hoog is, wat de levensduur van de chip beïnvloedt. Inhoud van de uitvinding Het doel van dit gebruiksmodel is om een ​​MOSFET-aandrijfcircuit met hoog vermogen te bieden, stabieler en nul te werken om het doel van de technische oplossing van deze uitvinding van het gebruiksmodel te bereiken - een MOSFET-aandrijfcircuit met hoog vermogen, de signaaluitvoer van de PWM-besturingschip is verbonden met de primaire pulstransformator, de eerste uitgang oAls de secundaire pulstransformator is verbonden met de eerste MOSFET-poort, is de tweede uitgang van de secundaire pulstransformator verbonden met de eerste MOSFET-poort, en is de tweede uitgang van de secundaire pulstransformator verbonden met de eerste MOSFET-poort. De eerste uitgang van de secundaire pulstransformator is verbonden met de poort van de eerste MOSFET, de tweede uitgang van de secundaire pulstransformator is verbonden met de poort van de tweede MOSFET, met het kenmerk dat de eerste uitgang van de secundaire pulstransformator ook is aangesloten met de eerste ontladingstransistor, en de tweede uitgang van de secundaire pulstransformator is ook verbonden met de tweede ontladingstransistor. De primaire zijde van de pulstransformator is tevens aangesloten op een energieopslag- en vrijgavecircuit.

Het vrijgavecircuit voor energieopslag omvat een weerstand, een condensator en een diode, de weerstand en de condensator zijn parallel verbonden, en het bovengenoemde parallelle circuit is in serie verbonden met de diode. Het gebruiksmodel heeft een gunstig effect. Het gebruiksmodel heeft ook een eerste ontladingstransistor aangesloten op de eerste uitgang van de secundaire transformator, en een tweede ontladingstransistor aangesloten op de tweede uitgang van de pulstransformator, zodat wanneer de pulstransformator een laag signaal afgeeft Niveau, de eerste MOSFET en de tweede MOSFET kunnen snel worden ontladen om de uitschakelsnelheid van de MOSFET te verbeteren en het MOSFET-verlies te verminderen. Het signaal van de PWM-besturingschip is verbonden met de signaalversterkings-MOSFET tussen de primaire uitgang en de puls transformator primair, die kan worden gebruikt voor signaalversterking. De signaaluitgang van de PWM-besturingschip en de primaire pulstransformator zijn verbonden met een MOSFET voor signaalversterking, wat het stuurvermogen van het PWM-signaal verder kan verbeteren.

De primaire pulstransformator is ook verbonden met een vrijgavecircuit voor energieopslag. Wanneer het PWM-signaal op een laag niveau staat, geeft het vrijgavecircuit voor energieopslag de opgeslagen energie vrij in de pulstransformator wanneer de PWM op een hoog niveau staat, waardoor wordt verzekerd dat de poort bron van de eerste MOSFET en de tweede MOSFET is extreem laag, wat een rol speelt bij het voorkomen van interferentie.

In een specifieke implementatie is een MOSFET Q1 met laag vermogen voor signaalversterking verbonden tussen de signaaluitgangsterminal A van de PWM-besturingschip en de primaire van de pulstransformator Tl, de eerste uitgangsterminal van de secundaire van de pulstransformator is verbonden met de poort van de eerste MOSFET Q4 via de diode D1 en de stuurweerstand Rl, de tweede uitgangsklem van de secundaire van de pulstransformator is verbonden met de poort van de tweede MOSFET Q5 via de diode D2 en de stuurweerstand R2, en de de eerste uitgangsklem van de secundaire uitgang van de pulstransformator is ook verbonden met de eerste draintriode Q2, en de tweede draintriode Q3 is ook verbonden met de tweede draintriode Q3. MOSFET Q5, de eerste uitgangsaansluiting van de secundaire pulstransformator is ook verbonden met een eerste afvoertransistor Q2, en de tweede uitgangsaansluiting van de secundaire pulstransformator is ook verbonden met een tweede afvoertransistor Q3.

De gate van de eerste MOSFET Q4 is verbonden met een drainweerstand R3, en de gate van de tweede MOSFET Q5 is verbonden met een drainweerstand R4. de primaire van de pulstransformator Tl is ook verbonden met een energieopslag- en vrijgavecircuit, en het energieopslag- en vrijgavecircuit omvat een weerstand R5, een condensator Cl en een diode D3, en de weerstand R5 en de condensator Cl zijn verbonden in parallel, en het bovengenoemde parallelle circuit is in serie geschakeld met de diode D3. de PWM-signaaluitvoer van de PWM-besturingschip is verbonden met de MOSFET Q2 met laag vermogen, en de MOSFET Q2 met laag vermogen is verbonden met de secundaire van de pulstransformator. wordt versterkt door de MOSFET Ql met laag vermogen en uitgevoerd naar de primaire van de pulstransformator Tl. Wanneer het PWM-signaal hoog is, voeren de eerste uitgangsaansluiting en de tweede uitgangsaansluiting van de secundaire van de pulstransformator Tl signalen van hoog niveau uit om de eerste MOSFET Q4 en de tweede MOSFET Q5 te laten geleiden.

Wanneer het PWM-signaal laag is, voeren de eerste uitgang en de tweede uitgang van de pulstransformator Tl secundaire signalen van laag niveau uit, de eerste drain-transistor Q2 en de tweede drain-transistor Q3-geleiding, de eerste MOSFETQ4-poortbroncapaciteit via de drain-weerstand R3, de eerste drain-transistor Q2 voor ontlading, de tweede MOSFETQ5-gate-sourcecapaciteit via de drain-weerstand R4, de tweede drain-transistor Q3 voor ontlading, de tweede MOSFETQ5-gate-source-capaciteit via de drain-weerstand R4, de tweede afvoertransistor Q3 voor ontlading, de tweede MOSFETQ5-poortbroncapaciteit via de afvoerweerstand R4, de tweede afvoertransistor Q3 voor ontlading. De tweede MOSFETQ5-poortbroncapaciteit wordt ontladen via de afvoerweerstand R4 en de tweede afvoertransistor Q3, zodat de eerste MOSFET Q4 en de tweede MOSFET Q5 sneller kunnen worden uitgeschakeld en het vermogensverlies kan worden verminderd.

Wanneer het PWM-signaal laag is, geeft het opgeslagen energie-vrijgavecircuit, bestaande uit weerstand R5, condensator Cl en diode D3, de opgeslagen energie vrij in de pulstransformator wanneer de PWM hoog is, waardoor wordt verzekerd dat de poortbron van de eerste MOSFET Q4 en de tweede MOSFET Q5 is extreem laag, wat het doel van anti-interferentie dient. Diode Dl en diode D2 geleiden de uitgangsstroom in één richting, waardoor de kwaliteit van de PWM-golfvorm wordt gewaarborgd, en tegelijkertijd spelen ze tot op zekere hoogte ook de rol van anti-interferentie.