Wat is het werkingsprincipe van MOSFET?

MOSFET-titel (FieldEffect Transistor-afkorting (FET)).MOSFET. door een klein aantal dragers om deel te nemen aan de thermische geleidbaarheid, ook bekend als meerpolige junctie-transistor. Het is gecategoriseerd als een spanningsgestuurd semi-supergeleiderapparaat. De bestaande uitgangsweerstand is hoog (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), weinig ruis, laag stroomverbruik, statisch bereik, eenvoudig te integreren, geen tweede storingsverschijnsel, de verzekeringstaak van de wijde zee en andere voordelen, heeft nu de bipolaire junctie-transistor en power-junction-transistor van de sterke medewerkers.

MOSFET-kenmerken

Ten eerste: MOSFET is een apparaat voor spanningsbeheersing, dat via de VGS (gate source-spanning) naar master-ID gaat (drain DC);

Seconde:MOSFET'suitgangs-DC is erg klein, dus de uitgangsweerstand is erg groot.

Drie: er worden een paar dragers toegepast om warmte te geleiden, en dus heeft het een betere mate van stabiliteit;

Vier: het bestaat uit een gereduceerd pad van elektrische reductie van kleine coëfficiënten om kleiner te zijn dan de transistor; bestaat uit een gereduceerd pad van elektrische reductie van kleine coëfficiënten;

Ten vijfde: MOSFET-anti-stralingsvermogen;

Zes: omdat er geen gebrekkige activiteit van de minderheidsspreiding is, veroorzaakt door verspreide geluidsdeeltjes, omdat het geluid laag is.

MOSFET-taakprincipe

MOSFETtaakprincipe in één zin, dat wil zeggen: "drain - source loopt door het kanaal tussen de ID, waarbij de elektrode en het kanaal tussen de pn zijn geconstrueerd in een omgekeerde voorspanningselektrodespanning om de ID onder de knie te krijgen". Nauwkeuriger gezegd, de amplitude van de ID over het circuit, dat wil zeggen het kanaaldoorsnede-oppervlak, is door de tegengestelde variatie van de pn-overgang, het optreden van de uitputtingslaag om de variatie van de beheersing van de reden uit te breiden. In de niet-verzadigde zee van VGS=0 is de uitzetting van de aangegeven overgangslaag niet erg groot omdat, volgens het magnetische veld van VDS dat tussen de drain-bron wordt toegevoegd, sommige elektronen in de bronzee door de drain worden weggetrokken , dwz er is een DC ID-activiteit van de drain naar de source. De gematigde laag die zich uitbreidt van de poort naar de afvoer zal een verstoppingstype vormen van het hele kanaal, ID vol. Verwijs naar dit patroon als afknijpen. Dit symboliseert dat de overgangslaag het hele kanaal blokkeert, en het is niet zo dat de DC wordt afgesloten.

In de overgangslaag, omdat er geen zelfbeweging van elektronen en gaten is, is het in de werkelijke vorm van de isolerende eigenschappen van het bestaan ​​van de algemene gelijkstroom moeilijk te verplaatsen. Echter, het magnetische veld tussen de drain - source, in de praktijk, de twee overgangslagen contacteren de drain en de gate-pool linksonder, omdat het magnetische driftveld de snelle elektronen door de overgangslaag trekt. Omdat de sterkte van het magnetische driftveld simpelweg de volheid van de ID-scène niet verandert. Ten tweede verandert VGS naar de negatieve positie, zodat VGS = VGS (uit), waarna de overgangslaag grotendeels de vorm verandert en de hele zee bedekt. En het magnetische veld van VDS wordt grotendeels toegevoegd aan de overgangslaag, het magnetische veld dat het elektron naar de driftpositie trekt, zolang het maar dicht bij de bronpool van het zeer korte geheel ligt, wat meer zo is dat het gelijkstroomvermogen niet kunnen stagneren.