Dit is een verpaktMOSFETpyro-elektrische infraroodsensor.Het rechthoekige frame is het detectievenster.De G-pin is de aardaansluiting, de D-pin is de interne MOSFET-afvoer en de S-pin is de interne MOSFET-bron.In het circuit is G verbonden met aarde, D is verbonden met de positieve voeding, infraroodsignalen worden ingevoerd vanuit het raam en elektrische signalen worden uitgevoerd vanuit S.
Oordeelpoort G
De MOS-driver speelt voornamelijk de rol van golfvormvorming en stuurverbetering: als de G-signaalgolfvorm van deMOSFETniet steil genoeg is, zal dit tijdens de schakelfase een groot vermogensverlies veroorzaken.Het neveneffect is dat de efficiëntie van de circuitconversie wordt verminderd.De MOSFET krijgt ernstige koorts en raakt gemakkelijk beschadigd door hitte.Er is een bepaalde capaciteit tussen MOSFETGS.Als het aandrijfvermogen van het G-signaal onvoldoende is, zal dit de sprongtijd van de golfvorm ernstig beïnvloeden.
Sluit de GS-pool kort, selecteer het R×1-niveau van de multimeter, sluit het zwarte testsnoer aan op de S-pool en het rode testsnoer op de D-pool.De weerstand moet enkele Ω tot meer dan tien Ω bedragen.Als blijkt dat de weerstand van een bepaalde pin en zijn twee pinnen oneindig is, en deze nog steeds oneindig is na het verwisselen van de meetsnoeren, wordt bevestigd dat deze pin de G-pool is, omdat deze geïsoleerd is van de andere twee pinnen.
Bepaal de bron S en de afvoer D
Stel de multimeter in op R×1k en meet respectievelijk de weerstand tussen de drie pinnen.Gebruik de methode voor het verwisselen van meetsnoeren om de weerstand tweemaal te meten.Degene met een lagere weerstandswaarde (meestal een paar duizend Ω tot meer dan tienduizend Ω) is de voorwaartse weerstand.Op dit moment is het zwarte meetsnoer de S-pool en is het rode meetsnoer aangesloten op de D-pool.Vanwege verschillende testomstandigheden is de gemeten RDS(aan)-waarde hoger dan de typische waarde die in de handleiding wordt vermeld.
OverMOSFET
De transistor heeft een N-kanaal en wordt daarom N-kanaal genoemdMOSFET, ofNMOS.Er bestaat ook een P-kanaal MOS (PMOS) FET, een PMOSFET die is samengesteld uit een licht gedoteerde N-type BACKGATE en een P-type source en drain.
Ongeacht het N-type of P-type MOSFET is het werkingsprincipe in wezen hetzelfde.MOSFET regelt de stroom aan de afvoer van de uitgangsterminal door de spanning die wordt aangelegd aan de poort van de ingangsterminal.MOSFET is een spanningsgestuurd apparaat.Het regelt de kenmerken van het apparaat via de spanning die op de poort wordt toegepast.Het veroorzaakt niet het ladingsopslageffect dat wordt veroorzaakt door de basisstroom wanneer een transistor wordt gebruikt voor het schakelen.Daarom is het bij schakeltoepassingenMOSFET'szouden sneller moeten schakelen dan transistors.
De FET dankt zijn naam ook aan het feit dat zijn ingang (de poort genoemd) de stroom die door de transistor vloeit beïnvloedt door een elektrisch veld op een isolerende laag te projecteren.In feite vloeit er geen stroom door deze isolator, waardoor de GATE-stroom van de FET-buis erg klein is.
De meest voorkomende FET gebruikt een dunne laag siliciumdioxide als isolator onder de GATE.
Dit type transistor wordt een metaaloxide halfgeleider (MOS) transistor of metaaloxide halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) genoemd.Omdat MOSFET's kleiner en energiezuiniger zijn, hebben ze in veel toepassingen bipolaire transistors vervangen.
Posttijd: 10 november 2023
