Metaaloxide-halfgeleiderstructuur van de kristaltransistor, algemeen bekend alsMOSFET, waarbij MOSFET's zijn onderverdeeld in P-type MOSFET's en N-type MOSFET's. De geïntegreerde schakelingen bestaande uit MOSFET's worden ook MOSFET-geïntegreerde schakelingen genoemd, en de nauw verwante MOSFET-geïntegreerde schakelingen bestaande uit PMOSFET's enNMOSFET's worden CMOSFET-geïntegreerde schakelingen genoemd.
Een MOSFET bestaande uit een p-type substraat en twee n-spreidende gebieden met hoge concentratiewaarden wordt een n-kanaal genoemdMOSFET, en het geleidende kanaal veroorzaakt door een n-type geleidend kanaal wordt veroorzaakt door de n-spreidingspaden in de twee n-spreidingspaden met hoge concentratiewaarden wanneer de buis geleidt. Bij n-kanaal verdikte MOSFET's wordt het n-kanaal veroorzaakt door een geleidend kanaal wanneer een positieve richtingsvoorspanning zoveel mogelijk wordt verhoogd bij de poort en alleen wanneer de poortbronwerking een bedrijfsspanning vereist die de drempelspanning overschrijdt. n-kanaals uitputtings-MOSFET's zijn MOSFET's die niet gereed zijn voor de poortspanning (poortbronwerking vereist een bedrijfsspanning van nul). Een n-kanaals MOSFET met lichte uitputting is een n-kanaals MOSFET waarin het geleidende kanaal wordt veroorzaakt wanneer de poortspanning (de bedrijfsspanning van de poortbron is nul) niet is voorbereid.
NMOSFET-geïntegreerde schakelingen zijn N-kanaal MOSFET-voedingscircuits, NMOSFET-geïntegreerde schakelingen, de ingangsweerstand is zeer hoog, de overgrote meerderheid hoeft de absorptie van de stroomstroom niet te verteren, en dus zijn CMOSFET- en NMOSFET-geïntegreerde schakelingen aangesloten zonder rekening te hoeven houden met rekening houden met de belasting van de stroomstroom. NMOSFET geïntegreerde schakelingen, de overgrote meerderheid van de selectie van een positief schakelend voedingscircuit met één groep, voedingscircuits. Het merendeel van de NMOSFET geïntegreerde schakelingen gebruikt een enkel positief schakelend voedingscircuit, en om 9V voor meer. CMOSFET-geïntegreerde schakelingen hoeven alleen hetzelfde schakelvoedingscircuit te gebruiken als de NMOSFET-geïntegreerde schakelingen, kunnen onmiddellijk worden aangesloten op NMOSFET-geïntegreerde schakelingen. Echter, van NMOSFET naar CMOSFET onmiddellijk verbonden, omdat de NMOSFET-uitvoer pull-up-weerstand kleiner is dan de CMOSFET-geïntegreerde circuit-gesleutelde pull-up-weerstand, dus probeer een potentiaalverschil pull-up-weerstand R toe te passen, de waarde van de weerstand R is doorgaans 2 tot 100 KΩ.
Constructie van N-kanaal verdikte MOSFET's
Op een P-type siliciumsubstraat met een lage doteringsconcentratiewaarde worden twee N-gebieden met een hoge doteringsconcentratiewaarde gemaakt, en worden twee elektroden uit aluminiummetaal getrokken om respectievelijk als drain d en bron s te dienen.
Vervolgens maskeert het oppervlak van de halfgeleidercomponent een zeer dunne laag silica-isolatiebuis, in de drain-source-isolatiebuis tussen de drain en source van een andere aluminiumelektrode, zoals de poort g.
In het substraat wordt ook een elektrode B geleid, die bestaat uit een N-kanaal dikke MOSFET. MOSFET-bron en substraat zijn over het algemeen met elkaar verbonden, het overgrote deel van de pijp in de fabriek is er al lang mee verbonden, de poort en andere elektroden zijn geïsoleerd tussen de behuizing.
Posttijd: 26 mei 2024
