MOSFET anti-reverse-circuit

Ten eerste het basisprincipe van het MOSFET-anti-reverse-circuit

MOSFET anti-retourcircuit dat gebruik maakt van de schakelkarakteristieken van de MOSFET, door de poortspanning (G) te regelen om het circuit aan en uit te realiseren. Wanneer de polariteit van de voeding correct is, zorgt de poortspanning ervoor dat de MOSFET in de geleidingstoestand komt, de stroom kan normaal stromen; wanneer de polariteit van de voeding wordt omgekeerd, kan de poortspanning de MOSFET niet geleiden, waardoor het circuit wordt afgesloten.

Ten tweede de specifieke realisatie van het MOSFET-anti-reverse-circuit

1. N-kanaal MOSFET anti-retourcircuit

N-kanaal MOSFET's worden meestal gebruikt om anti-reverse-circuits te realiseren. In het circuit is de source (S) van de N-kanaal MOSFET verbonden met de negatieve pool van de belasting, de drain (D) is verbonden met de positieve pool van de voeding en de gate (G) is verbonden met de negatieve pool van de voeding via een weerstand of bestuurd door een stuurcircuit.

Voorwaartse verbinding: de positieve pool van de voeding is verbonden met D en de negatieve pool is verbonden met S. Op dit moment levert de weerstand de gate source-spanning (VGS) voor de MOSFET, en wanneer VGS groter is dan de drempelwaarde spanning (Vth) van de MOSFET, de MOSFET geleidt en de stroom vloeit van de positieve pool van de voeding naar de belasting via de MOSFET.

Wanneer omgekeerd: de positieve pool van de voeding is verbonden met S, en de negatieve pool is verbonden met D. Op dit moment bevindt de MOSFET zich in een afgesneden toestand en is het circuit losgekoppeld om de belasting tegen schade te beschermen omdat de poortspanning is niet in staat een voldoende VGS te vormen om de MOSFET te laten geleiden (VGS kan kleiner zijn dan 0 of veel kleiner dan Vth).

2. Rol van hulpcomponenten

Weerstand: Wordt gebruikt om poortbronspanning voor MOSFET te leveren en poortstroom te beperken om schade aan poortoverstroom te voorkomen.

Spanningsregelaar: een optioneel onderdeel dat wordt gebruikt om te voorkomen dat de poortbronspanning te hoog wordt en de MOSFET kapot gaat.

Parasitaire diode: Er bestaat een parasitaire diode (lichaamsdiode) in de MOSFET, maar het effect ervan wordt gewoonlijk genegeerd of vermeden door het circuitontwerp om het schadelijke effect ervan in anti-reverse-circuits te voorkomen.

Ten derde de voordelen van het MOSFET-anti-reverse-circuit

 

Laag verlies: MOSFET-aan-weerstand is klein, de aan-weerstandsspanning wordt verlaagd, dus het circuitverlies is klein.

 

 

Hoge betrouwbaarheid: de anti-reverse-functie kan worden gerealiseerd door een eenvoudig circuitontwerp, en de MOSFET zelf heeft een hoge mate van betrouwbaarheid.

 

Flexibiliteit: er kunnen verschillende MOSFET-modellen en circuitontwerpen worden geselecteerd om aan verschillende toepassingsvereisten te voldoen.

 

Voorzorgsmaatregelen

 

Bij het ontwerp van een MOSFET-anti-reverse-circuit moet u ervoor zorgen dat de selectie van MOSFET's voldoet aan de toepassingsvereisten, inclusief spanning, stroom, schakelsnelheid en andere parameters.

 

Het is noodzakelijk om rekening te houden met de invloed van andere componenten in het circuit, zoals parasitaire capaciteit, parasitaire inductie, enz., om nadelige effecten op de prestaties van het circuit te voorkomen.

 

In praktische toepassingen zijn ook adequate tests en verificatie vereist om de stabiliteit en betrouwbaarheid van het circuit te garanderen.

 

Samenvattend is het MOSFET-anti-reverse-circuit een eenvoudig, betrouwbaar en verliesarm voedingsbeschermingsschema dat op grote schaal wordt gebruikt in een verscheidenheid aan toepassingen waarbij het voorkomen van omgekeerde stroompolariteit vereist is.