MOSFET's (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) worden vaak beschouwd als volledig bestuurde apparaten. Dit komt doordat de bedrijfstoestand (aan of uit) van de MOSFET volledig wordt bestuurd door de poortspanning (Vgs) en niet afhankelijk is van de basisstroom zoals in het geval van een bipolaire transistor (BJT).
In een MOSFET bepaalt de poortspanning Vgs of er een geleidend kanaal wordt gevormd tussen de source en drain, evenals de breedte en geleidbaarheid van het geleidende kanaal. Wanneer Vgs de drempelspanning Vt overschrijdt, wordt het geleidende kanaal gevormd en komt de MOSFET in de aan-toestand; wanneer Vgs onder Vt daalt, verdwijnt het geleidende kanaal en bevindt de MOSFET zich in de afgesneden toestand. Deze regeling wordt volledig gecontroleerd omdat de poortspanning onafhankelijk en nauwkeurig de bedrijfsstatus van de MOSFET kan regelen zonder afhankelijk te zijn van andere stroom- of spanningsparameters.
De bedrijfstoestand van halfgestuurde apparaten (bijv. thyristors) wordt daarentegen niet alleen beïnvloed door de stuurspanning of -stroom, maar ook door andere factoren (bijv. anodespanning, stroom, enz.). Als gevolg hiervan bieden volledig gecontroleerde apparaten (bijvoorbeeld MOSFET's) doorgaans betere prestaties in termen van regelnauwkeurigheid en flexibiliteit.
Samenvattend zijn MOSFET's volledig bestuurde apparaten waarvan de bedrijfsstatus volledig wordt geregeld door de poortspanning, en die de voordelen hebben van hoge precisie, hoge flexibiliteit en een laag stroomverbruik.
Posttijd: 20 september 2024
