Tegenwoordig, met de snelle ontwikkeling van wetenschap en technologie, worden halfgeleiders in steeds meer industrieën gebruikt, waarin deMOSFET ook wordt beschouwd als een veelgebruikt halfgeleiderapparaat, is de volgende stap het begrijpen wat het verschil is tussen de kenmerken van de bipolaire vermogenskristaltransistor en de MOSFET met uitgangsvermogen.
1, de manier van werken
MOSFET is het werk dat nodig is om de bedrijfsspanning te bevorderen, schakelschema's verklaren relatief eenvoudig, bevorderen de kracht van klein; Power Crystal Transistor is een krachtstroom om het programma-ontwerp te bevorderen is complexer, om de specificatie van de keuze van moeilijk te bevorderen om de specificatie te bevorderen zal de totale schakelsnelheid van de voeding in gevaar brengen.
2, de totale schakelsnelheid van de voeding
MOSFET beïnvloed door de temperatuur is klein, het schakelende uitgangsvermogen van de voeding kan ervoor zorgen dat meer dan 150 KHz; Power Crystal Transistor heeft een zeer weinig gratis opslagtijdlimiet voor de schakelsnelheid van de voeding, maar het uitgangsvermogen is over het algemeen niet meer dan 50 kHz.
3. Veilige werkomgeving
Vermogens-MOSFET heeft geen secundaire basis en het veilige werkgebied is breed; Power Crystal Transistor heeft een secundaire basissituatie, die het veilige werkgebied beperkt.
4, werkspanning van de elektrische geleider
StroomMOSFET behoort tot het hoogspanningstype, de werkspanning voor geleidingswerk is hoger, er is een positieve temperatuurcoëfficiënt; power crystal transistor, ongeacht hoeveel geld bestand is tegen de werkspanning, de werkspanning van de elektrische geleider is lager en heeft een negatieve temperatuurcoëfficiënt.
5, de maximale krachtstroom
Power MOSFET in het schakelende voedingscircuit voedingscircuit circuit voedingscircuit als een voedingsschakelaar, in bedrijf en stabiel werk in het midden, de maximale stroomstroom is lager; en power crystal transistor in werking en stabiel werk in het midden, de maximale stroomstroom is hoger.
6, Productkosten
De kosten van stroom-MOSFET zijn iets hoger; de kosten van een power crystal triode zijn iets lager.
7, Penetratie-effect
Power MOSFET heeft geen penetratie-effect; power crystal transistor heeft penetratie-effect.
8. Schakelverlies
MOSFET-schakelverlies is niet groot; Het schakelverlies van de vermogenskristaltransistors is relatief groot.
Bovendien is de overgrote meerderheid van de krachtige MOSFET geïntegreerde schokabsorberende diode, terwijl de bipolaire vermogenskristaltransistor bijna geen geïntegreerde schokabsorberende diode heeft. MOSFET schokabsorberende diode kan ook een universele magneet zijn voor het schakelen van voedingscircuits, magneetspoelen om de arbeidsfactorhoek te geven van het stroomveiligheidskanaal. Veldeffectbuis in de schokabsorberende diode tijdens het hele proces van uitschakelen met de algemene diode als het bestaan van een omgekeerde herstelstroom, op dit moment neemt de diode aan de ene kant de afvoer op - bronpool positief midden van een substantieel deel stijging van de werkvereisten van de bedrijfsspanning en de omgekeerde herstelstroom.
Posttijd: 24 mei 2024
