1, MOSFETinvoering
FieldEffect Transistor afkorting (FET)) titel MOSFET. door een klein aantal dragers deel te nemen aan warmtegeleiding, ook wel meerpolige transistor genoemd. Het behoort tot het semi-supergeleidermechanisme van het spanningsbeheersingstype. Er is een hoge uitgangsweerstand (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), weinig ruis, laag stroomverbruik, statisch bereik, gemakkelijk te integreren, geen tweede storingsverschijnsel, de verzekeringstaak van de zee breed en andere voordelen, is nu veranderd de bipolaire transistor en de powerjunction-transistor van de sterke medewerkers.
2, MOSFET-kenmerken
1, MOSFET is een spanningsregelapparaat, het via de VGS (gate source voltage) controle-ID (drain DC);
2, MOSFET'suitgangs-DC-pool is klein, dus de uitgangsweerstand is groot.
3, het is de toepassing van een klein aantal dragers om warmte te geleiden, dus hij heeft een betere mate van stabiliteit;
4, het bestaat uit het reductiepad van de elektrische reductiecoëfficiënt is kleiner dan de triode bestaat uit het reductiepad van de reductiecoëfficiënt;
5, MOSFET anti-bestralingsvermogen;
6, vanwege de afwezigheid van een defecte activiteit van de oligondispersie veroorzaakt door verspreide ruisdeeltjes, dus de ruis is laag.
3. MOSFET-taakprincipe
MOSFET'swerkingsprincipe in één zin, is "drain - source tussen de ID die door het kanaal voor de poort stroomt en het kanaal tussen de pn-overgang gevormd door de sperspanning van de poortspanning master ID", om precies te zijn, ID stroomt door de breedte van het pad, dat wil zeggen het dwarsdoorsnede-oppervlak van het kanaal, is de verandering in de tegengestelde bias van de pn-overgang, die een uitputtingslaag produceert. De reden voor de uitgebreide variatiecontrole. In de niet-verzadigde zee van VGS=0 worden, omdat de uitzetting van de overgangslaag niet erg groot is, volgens de toevoeging van het magnetische veld van VDS tussen de drainbron, sommige elektronen in de bronzee weggetrokken door de drain, dwz er is een DC ID-activiteit van de drain naar de source. De gematigde laag, vergroot van de poort tot de afvoer, zorgt ervoor dat het hele lichaam van het kanaal een blokkerend type vormt, ID full. Noem dit formulier een pinch-off. Het symboliseert de overgangslaag naar het kanaal van een hele obstructie, in plaats van dat de gelijkstroom wordt afgesloten.
Omdat er geen vrije beweging van elektronen en gaten in de overgangslaag is, heeft deze bijna isolerende eigenschappen in de ideale vorm en kan de algemene stroom moeilijk vloeien. Maar dan maakt het elektrische veld tussen de drain-source, in feite de twee overgangslagen, contact met de drain en de gate-pool nabij het onderste deel, omdat het elektrische driftveld de snelle elektronen door de overgangslaag trekt. De intensiteit van het driftveld is vrijwel constant en zorgt voor de volheid van de ID-scène.
Het circuit maakt gebruik van een combinatie van een verbeterde P-kanaal MOSFET en een verbeterde N-kanaal MOSFET. Wanneer de ingang laag is, geleidt de P-kanaal MOSFET en wordt de uitgang verbonden met de positieve aansluiting van de voeding. Wanneer de ingang hoog is, geleidt de N-kanaal MOSFET en is de uitgang verbonden met de aarde van de voeding. In dit circuit werken de P-kanaal MOSFET en de N-kanaal MOSFET altijd in tegengestelde toestanden, met hun fase-ingangen en -uitgangen omgekeerd.
Posttijd: 30 april 2024
