MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) heeft drie polen:
Hek:G, de poort van een MOSFET is equivalent aan de basis van een bipolaire transistor en wordt gebruikt om de geleiding en afsnijding van de MOSFET te regelen. Bij MOSFET's bepaalt de poortspanning (Vgs) of er een geleidend kanaal wordt gevormd tussen de source en drain, evenals de breedte en geleidbaarheid van het geleidende kanaal. De poort is gemaakt van materialen zoals metaal, polysilicium, enz., en is omgeven door een isolatielaag (meestal siliciumdioxide) om te voorkomen dat stroom rechtstreeks in of uit de poort stroomt.
Bron:S, de bron van een MOSFET is equivalent aan de emitter van een bipolaire transistor en is waar de stroom vloeit. Bij N-kanaal MOSFET's is de bron gewoonlijk verbonden met de negatieve aansluiting (of aarde) van de voeding, terwijl bij P-kanaal MOSFET's de bron is aangesloten op de positieve aansluiting van de voeding. De bron is een van de belangrijkste onderdelen die het geleidende kanaal vormen, dat elektronen (N-kanaal) of gaten (P-kanaal) naar de afvoer stuurt wanneer de poortspanning hoog genoeg is.
Droogleggen:D, de drain van een MOSFET is equivalent aan de collector van een bipolaire transistor en is waar de stroom naar binnen vloeit. De drain is meestal verbonden met de belasting en fungeert als stroomuitgang in het circuit. In een MOSFET is de drain het andere uiteinde van het geleidende kanaal, en wanneer de poortspanning de vorming van een geleidend kanaal tussen de source en drain regelt, kan er stroom van de source via het geleidende kanaal naar de drain vloeien.
In een notendop wordt de gate van een MOSFET gebruikt om aan en uit te regelen, de source is waar de stroom naar buiten vloeit en de drain is waar de stroom naar binnen vloeit. Samen bepalen deze drie polen de bedrijfsstatus en prestaties van de MOSFET .
Posttijd: 26 september 2024
