MOSFET-drivercircuitvereisten

Met de huidige MOS-stuurprogramma's zijn er verschillende buitengewone vereisten:

1. Laagspanningstoepassing

Wanneer de toepassing van 5V-schakelingvoeding, op dit moment als het gebruik van de traditionele totempaalstructuur, omdat de triode slechts 0,7 V op en neer verlies heeft, resulterend in een specifieke uiteindelijke belastingpoort op de spanning slechts 4,3 V is, op dit moment is het gebruik van toegestane poortspanning van 4,5VMOSFET's er is sprake van een zekere mate van risico.Dezelfde situatie komt ook voor bij de toepassing van 3V of andere laagspanningsschakelende voeding.

2. Brede spanningstoepassing

De sleutelspanning heeft geen numerieke waarde, maar varieert van tijd tot tijd of als gevolg van andere factoren. Deze variatie zorgt ervoor dat de stuurspanning die door het PWM-circuit aan de MOSFET wordt gegeven, onstabiel is.

Om de MOSFET beter te beveiligen bij hoge poortspanningen, hebben veel MOSFET's ingebouwde spanningsregelaars om een limiet op te leggen aan de grootte van de poortspanning. In dit geval wordt, wanneer de aandrijfspanning hoger wordt gebracht dan de spanning van de regelaar, een groot statisch functieverlies veroorzaakt.

Tegelijkertijd, als het basisprincipe van de weerstandsspanningsdeler wordt gebruikt om de poortspanning te verlagen, zal het gebeuren dat als de gesleutelde spanning hoger is, de MOSFET goed werkt, en als de gesleutelde spanning wordt verlaagd, de poortspanning niet genoeg, wat resulteert in onvoldoende aan- en uitschakeling, wat het functionele verlies zal vergroten.

MOSFET-overstroombeveiligingscircuit om doorbranding van de voeding te voorkomen(1)

3. Toepassingen met dubbele spanning

In sommige regelcircuits past het logische gedeelte van het circuit de typische dataspanning van 5 V of 3,3 V toe, terwijl het uitgangsvermogengedeelte 12 V of meer toepast, en de twee spanningen zijn verbonden met gemeenschappelijke aarde.

Dit maakt duidelijk dat er een voedingscircuit moet worden gebruikt, zodat de laagspanningszijde de hoogspannings-MOSFET redelijkerwijs kan manipuleren, terwijl de hoogspannings-MOSFET in staat zal zijn om te gaan met dezelfde problemen genoemd in 1 en 2.

In deze drie gevallen kan de totempaalconstructie niet aan de uitgangsvereisten voldoen, en veel bestaande MOS-driver-IC's lijken geen poortspanningsbegrenzende constructie te bevatten.