Inleiding tot het werkingsprincipe van veelgebruikte MOSFET's met hoog vermogen

Vandaag op de veelgebruikte high-powerMOSFETom kort het werkingsprincipe ervan voor te stellen. Zie hoe het zijn eigen werk realiseert.

Metaaloxide-halfgeleider, dat wil zeggen metaaloxide-halfgeleider, precies, deze naam beschrijft de structuur van de MOSFET in het geïntegreerde circuit, dat wil zeggen: in een bepaalde structuur van het halfgeleiderapparaat, gekoppeld aan siliciumdioxide en metaal, de vorming van de poort.

De source en drain van een MOSFET zijn tegengesteld, beide zijn N-type zones gevormd in een P-type backgate. In de meeste gevallen zijn de twee gebieden hetzelfde, zelfs als de twee uiteinden van de aanpassing de prestaties van het apparaat niet beïnvloeden, wordt een dergelijk apparaat als symmetrisch beschouwd.

Classificatie: volgens het kanaalmateriaaltype en het geïsoleerde poorttype van elk N-kanaal en P-kanaal twee; volgens de geleidende modus: MOSFET is verdeeld in uitputting en verbetering, dus MOSFET is verdeeld in N-kanaal uitputting en verbetering; Uitputting van P-kanalen en verbetering van vier hoofdcategorieën.

MOSFET-werkingsprincipe - de structurele kenmerken vanMOSFEThet geleidt slechts één polariteitsdragers (polys) die betrokken zijn bij de geleidende, is een unipolaire transistor. Het geleidende mechanisme is hetzelfde als de MOSFET met laag vermogen, maar de structuur heeft een groot verschil. MOSFET met laag vermogen is een horizontaal geleidend apparaat, het grootste deel van de verticale geleidende MOSFET-structuur, ook bekend als de VMOSFET, wat de MOSFET aanzienlijk verbetert apparaatspanning en -stroom zijn bestand tegen vermogen. Het belangrijkste kenmerk is dat er een laag silica-isolatie zit tussen de metalen poort en het kanaal, en daarom een ​​hoge ingangsweerstand heeft. De buis geleidt in twee hoge concentraties n-diffusiezones om een ​​n-type geleidend kanaal te vormen. n-kanaalverbeterings-MOSFET's moeten met voorwaartse voorspanning op de poort worden toegepast, en alleen wanneer de poortbronspanning groter is dan de drempelspanning van het geleidende kanaal gegenereerd door de n-kanaals MOSFET. n-kanaal MOSFET's van het uitputtingstype zijn n-kanaal MOSFET's waarin geleidende kanalen worden gegenereerd wanneer er geen poortspanning wordt aangelegd (poortbronspanning is nul).

Het werkingsprincipe van de MOSFET is het regelen van de hoeveelheid "geïnduceerde lading" door VGS te gebruiken om de toestand van het geleidende kanaal gevormd door de "geïnduceerde lading" te veranderen, en vervolgens het doel van het regelen van de afvoerstroom te bereiken. Bij de vervaardiging van buizen, door het proces van isolatielaag bij het ontstaan ​​van een groot aantal positieve ionen, zodat aan de andere kant van het grensvlak meer negatieve lading kan worden geïnduceerd, deze negatieve ladingen tot de hoge penetratie van onzuiverheden in de N regio verbonden met de vorming van een geleidend kanaal, zelfs in de VGS = 0 is er ook een grote lekstroom-ID. wanneer de poortspanning wordt gewijzigd, verandert ook de hoeveelheid lading die in het kanaal wordt geïnduceerd, en veranderen de geleidende kanaalbreedte en smalheid van het kanaal, en dus de lekstroom ID met de poortspanning. huidige ID varieert met de poortspanning.

Nu de toepassing vanMOSFETheeft het leren en de werkefficiëntie van mensen aanzienlijk verbeterd en tegelijkertijd onze levenskwaliteit verbeterd. We hebben er een meer gerationaliseerd begrip van door middel van een eenvoudig begrip. Het zal niet alleen worden gebruikt als een hulpmiddel, meer begrip van de kenmerken ervan, het werkprincipe, wat ons ook veel plezier zal bezorgen.