Analyse van belangrijke oorzaken van MOSFET-warmteopwekking

N-type, P-type MOSFET werkingsprincipe van de essentie is hetzelfde, MOSFET wordt voornamelijk toegevoegd aan de ingangszijde van de poortspanning om de uitgangszijde van de afvoerstroom met succes te regelen, MOSFET is een spanningsgestuurd apparaat, door de toegevoegde spanning naar de poort om de kenmerken van het apparaat te regelen, in tegenstelling tot de triode om de schakeltijd te regelen vanwege de basisstroom veroorzaakt door het ladingsopslageffect, bij schakeltoepassingen, MOSFET's bij schakeltoepassingen,MOSFET's de schakelsnelheid is sneller dan die van triode.

In de schakelende voeding, het veelgebruikte MOSFET open drain-circuit, is de drain aangesloten op de belasting zoals deze is, een zogenaamde open drain, open drain-circuit, de belasting is verbonden met hoe hoog de spanning is, in staat is om in te schakelen, de stroom uit te schakelen belastingsstroom is het ideale analoge schakelapparaat, wat het principe van de MOSFET is om schakelapparaten te doen, en de MOSFET om te schakelen in de vorm van meer circuits.

In termen van schakelende voedingstoepassingen vereist deze toepassing MOSFET's om periodiek te geleiden, uit te schakelen, zoals de DC-DC-voeding die gewoonlijk wordt gebruikt in de standaard buck-converter, is afhankelijk van twee MOSFET's om de schakelfunctie uit te voeren, deze schakelaars afwisselend in de inductor om energie op te slaan, de energie vrij te geven aan de belasting, vaak kiezen honderden kHz of zelfs meer dan 1 MHz, vooral omdat hoe hoger de frequentie dan, hoe kleiner de magnetische componenten. Tijdens normaal bedrijf is de MOSFET equivalent aan een geleider, bijvoorbeeld MOSFET's met hoog vermogen, MOSFET's met kleine spanning, circuits, voeding is het minimale geleidingsverlies van de MOS.

MOSFET PDF-parameters, MOSFET-fabrikanten hebben met succes de RDS (ON)-parameter overgenomen om de impedantie in de aan-stand te definiëren. Voor schakeltoepassingen is RDS (ON) het belangrijkste apparaatkenmerk; datasheets definiëren RDS (AAN), de poort- (of aandrijf) spanning VGS en de stroom die door de schakelaar vloeit, zijn gerelateerd, voor adequate poortaandrijving is RDS (AAN) een relatief statische parameter; MOSFET's die in geleiding zijn geweest, zijn gevoelig voor warmteontwikkeling, en langzaam stijgende junctietemperaturen kunnen leiden tot een toename van RDS (ON);MOSFET datasheets specificeren de thermische impedantieparameter, die wordt gedefinieerd als het vermogen van de halfgeleiderovergang van het MOSFET-pakket om warmte af te voeren, en RθJC wordt eenvoudigweg gedefinieerd als de thermische impedantie tussen de junctie en de behuizing.

1, de frequentie is te hoog, soms overmatig het volume nastreven, zal direct leiden tot hoge frequentie, MOSFET op het verlies neemt toe, hoe groter de warmte, doe geen goed werk met een adequaat warmteafvoerontwerp, hoge stroom, de nominale huidige waarde van de MOSFET, de noodzaak om een ​​goede warmteafvoer te kunnen realiseren; ID is minder dan de maximale stroomsterkte, er kan sprake zijn van ernstige hitte, de behoefte aan adequate hulpkoellichamen.

2, MOSFET-selectiefouten en fouten in vermogensbeoordeling, de interne MOSFET-weerstand wordt niet volledig in aanmerking genomen, zal direct leiden tot verhoogde schakelimpedantie bij het omgaan met MOSFET-verwarmingsproblemen.

3, vanwege circuitontwerpproblemen, resulterend in warmte, zodat de MOSFET in een lineaire bedrijfstoestand werkt, niet in de schakeltoestand, wat een directe oorzaak is van MOSFET-verwarming, N-MOS schakelt bijvoorbeeld, de G- niveauspanning moet een paar V hoger zijn dan de voeding, om volledige geleiding te kunnen hebben, is de P-MOS anders; bij afwezigheid van een volledig open spanningsval is de spanningsval te groot, wat zal resulteren in stroomverbruik, de equivalente DC-impedantie is groter, de spanningsval zal ook toenemen, U * I zal ook toenemen, het verlies zal tot warmte leiden.