Over het werkingsprincipe van stroom-MOSFET

Er zijn veel variaties op circuitsymbolen die vaak worden gebruikt voor MOSFET's. Het meest voorkomende ontwerp is een rechte lijn die het kanaal voorstelt, twee lijnen loodrecht op het kanaal die de bron en afvoer vertegenwoordigen, en een kortere lijn evenwijdig aan het kanaal aan de linkerkant die de poort voorstelt. Soms wordt de rechte lijn die het kanaal vertegenwoordigt, ook vervangen door een onderbroken lijn om onderscheid te maken tussen de verbeteringsmodimosfet of uitputtingsmodus-mosfet, die ook is onderverdeeld in N-kanaal MOSFET en P-kanaal MOSFET, twee soorten circuitsymbolen zoals weergegeven in de figuur (de richting van de pijl is anders).

Vermogens-MOSFET's werken op twee manieren:

(1) Wanneer een positieve spanning wordt toegevoegd aan D en S (drain positief, source negatief) en UGS=0, is de PN-overgang in het P-lichaamsgebied en het N-draingebied tegengesteld voorgespannen en loopt er geen stroom tussen D en S. Als een positieve spanning UGS wordt toegevoegd tussen G en S, zal er geen poortstroom vloeien omdat de poort geïsoleerd is, maar een positieve spanning bij de poort zal de gaten wegduwen van het P-gebied eronder, en de minderheidsdragerelektronen zullen aangetrokken worden tot het oppervlak van het P-gebied Wanneer de UGS groter is dan een bepaalde spanning UT, zal de elektronenconcentratie op het oppervlak van het P-gebied onder de poort de gatconcentratie overschrijden, waardoor de antipatroonlaag van het P-type halfgeleider een N-type halfgeleider wordt; deze antipatroonlaag vormt een N-type kanaal tussen de source en drain, zodat de PN-overgang verdwijnt, de source en drain geleidend zijn, en een drainstroom ID door de drain stroomt. UT wordt de inschakelspanning of de drempelspanning genoemd, en hoe meer UGS UT overschrijdt, hoe geleidender het geleidende vermogen is en hoe groter de ID is. Hoe groter de UGS groter is dan UT, hoe sterker de geleidbaarheid, hoe groter de ID.

(2) Wanneer D, S plus negatieve spanning (source positief, drain negatief), is de PN-overgang voorwaarts voorgespannen, equivalent aan een interne omgekeerde diode (heeft geen snelle responskarakteristieken), dat wil zeggen deMOSFET heeft geen omgekeerde blokkeermogelijkheid en kan worden beschouwd als een omgekeerde geleidingscomponent.

Door deMOSFET werkingsprincipe kan worden gezien, de geleiding ervan is slechts één polariteitsdrager die betrokken is bij de geleidende, dus ook bekend als unipolaire transistor. MOSFET-aandrijving is vaak gebaseerd op de IC- en MOSFET-parameters van de voeding om het juiste circuit te selecteren, MOSFET wordt over het algemeen gebruikt voor het schakelen voedingscircuit. Bij het ontwerpen van een schakelende voeding met behulp van een MOSFET houden de meeste mensen rekening met de aan-weerstand, maximale spanning en maximale stroom van de MOSFET. Mensen houden echter vaak alleen rekening met deze factoren, zodat het circuit goed kan werken, maar het is geen goede ontwerpoplossing. Voor een gedetailleerder ontwerp moet de MOSFET ook rekening houden met zijn eigen parameterinformatie. Voor een bepaalde MOSFET zullen het stuurcircuit, de piekstroom van de aandrijfuitgang, enz., de schakelprestaties van de MOSFET beïnvloeden.