WST8205 Dubbele N-kanaal 20V 5,8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

producten

WST8205 Dubbele N-kanaal 20V 5,8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

korte beschrijving:


  • Modelnummer:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID KAART:5,8A
  • Kanaal:Dubbel N-kanaal
  • Pakket:SOT-23-6L
  • Product zomers:De WST8205 MOSFET werkt op 20 volt, ondersteunt 5,8 ampère stroom en heeft een weerstand van 24 milliohm.De MOSFET bestaat uit een Dual N-Channel en is verpakt in SOT-23-6L.
  • Toepassingen:Auto-elektronica, LED-verlichting, audio, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten, consumentenelektronica, beschermplaten.
  • Product detail

    Sollicitatie

    Productlabels

    Algemene beschrijving

    De WST8205 is een krachtige N-Ch MOSFET met extreem hoge celdichtheid, die een uitstekende RDSON en poortlading biedt voor de meeste kleine vermogensschakelings- en belastingsschakelingstoepassingen.De WST8205 voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereisten met volledige goedkeuring voor functionele betrouwbaarheid.

    Functies

    Onze geavanceerde technologie omvat innovatieve functies die dit apparaat onderscheiden van andere op de markt.Met sleuven met een hoge celdichtheid maakt deze technologie een grotere integratie van componenten mogelijk, wat leidt tot betere prestaties en efficiëntie. Een opmerkelijk voordeel van dit apparaat is de extreem lage poortlading.Als gevolg hiervan is er minimale energie nodig om te schakelen tussen de aan- en uit-status, wat resulteert in een lager energieverbruik en een verbeterde algehele efficiëntie.Deze lage poortladingskarakteristiek maakt het een ideale keuze voor toepassingen die snelle schakeling en nauwkeurige controle vereisen. Bovendien blinkt ons apparaat uit in het verminderen van Cdv/dt-effecten.Cdv/dt, of de snelheid waarmee de drain-naar-source-spanning in de loop van de tijd verandert, kan ongewenste effecten veroorzaken, zoals spanningspieken en elektromagnetische interferentie.Door deze effecten effectief te minimaliseren, zorgt ons apparaat voor een betrouwbare en stabiele werking, zelfs in veeleisende en dynamische omgevingen. Naast zijn technische bekwaamheid is dit apparaat ook milieuvriendelijk.Het is ontworpen met het oog op duurzaamheid, waarbij rekening wordt gehouden met factoren zoals energie-efficiëntie en een lange levensduur.Door met de grootst mogelijke energie-efficiëntie te werken, minimaliseert dit apparaat zijn ecologische voetafdruk en draagt ​​het bij aan een groenere toekomst. Samenvattend combineert ons apparaat geavanceerde technologie met sleuven met hoge celdichtheid, extreem lage poortlading en uitstekende vermindering van Cdv/dt-effecten.Met zijn milieuvriendelijke ontwerp levert hij niet alleen superieure prestaties en efficiëntie, maar sluit hij ook aan bij de groeiende behoefte aan duurzame oplossingen in de wereld van vandaag.

    Toepassingen

    Hoogfrequente point-of-load synchrone kleine stroomschakeling voor MB/NB/UMPC/VGA-netwerk DC-DC-voedingssysteem, auto-elektronica, LED-verlichting, audio, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten, consumentenelektronica, beschermplaten.

    bijbehorende materiaalnummer

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Belangrijke parameters

    Symbool Parameter Beoordeling Eenheden
    VDS Afvoerbronspanning 20 V
    VGS Gate-bronspanning ±12 V
    ID@Tc=25℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 4,5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 4,5V1 3.8 A
    IDM Gepulseerde afvoerstroom2 16 A
    PD@TA=25℃ Totale vermogensdissipatie3 2.1 W
    TSTG Opslagtemperatuurbereik -55 tot 150
    TJ Bedrijfstemperatuurbereik junctie -55 tot 150
    Symbool Parameter Voorwaarden Min. Typ. Max. Eenheid
    BVDSS Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(AAN) Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=4,5V, ID=5,5A --- 24 28
           
        VGS=2,5V, ID=3,5A --- 30 45  
    VGS(th) Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) temperatuurcoëfficiënt   --- -2,33 --- mV/℃
    IDSS Afvoerbron lekstroom VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-source lekstroom VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    vriendin Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Totale poortlading (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Gate-source-kosten --- 1.4 2.0
    Qgd Gate-Drain-lading --- 2.2 3.2
    Td(aan) Inschakelvertragingstijd VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Stijg tijd --- 34 63
    Td(uit) Uitschakelvertragingstijd --- 22 46
    Tf Herfst tijd --- 9,0 18.4
    Cis Ingangscapaciteit VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Kos Uitgangscapaciteit --- 69 98
    Crss Omgekeerde overdrachtscapaciteit --- 61 88

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons