WSP6067A N&P-kanaal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Algemene beschrijving
De WSP6067A MOSFET's zijn de meest geavanceerde voor trench P-ch-technologie, met een zeer hoge celdichtheid. Ze leveren uitstekende prestaties in termen van zowel de RDSON- als de poortlading, geschikt voor de meeste synchrone buck-converters. Deze MOSFET's voldoen aan de RoHS- en Green Product-criteria, waarbij 100% EAS volledige functionele betrouwbaarheid garandeert.
Functies
Geavanceerde technologie maakt celgeulvorming met hoge dichtheid mogelijk, wat resulteert in een superlage poortlading en superieur CdV/dt-effectverval. Onze apparaten worden geleverd met 100% EAS-garantie en zijn milieuvriendelijk.
Toepassingen
Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, belastingschakelaar, e-sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medische apparatuur, autoladers, controllers, elektronische apparaten, kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica .
bijbehorende materiaalnummer
AOS
Belangrijke parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden | |
| N-kanaal | P-kanaal | |||
| VDS | Afvoerbronspanning | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-bronspanning | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 | 7,0 | -5,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 | 4,0 | -2,5 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Lawinestroom | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | -55 tot 150 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | -55 tot 150 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperatuurcoëfficiënt | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Totale poortlading (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 34 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 6 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 65 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 45 | --- |
