WSP6067A N&P-kanaal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Modelnummer:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

Identiteitskaart:7A/-5A

Kanaal:N&P-kanaal

Pakket:SOP-8

Product zomers:De WSP6067A MOSFET heeft een spanningsbereik van 60 volt positief en negatief, een stroombereik van 7 ampère positief en 5 ampère negatief, een weerstandsbereik van 38 milliohm en 80 milliohm, een N&P-kanaal, en is verpakt in SOP-8.

Toepassingen:E-sigaretten, draadloze opladers, motoren, drones, gezondheidszorg, auto-opladers, bedieningselementen, digitale apparaten, kleine apparaten en elektronica voor consumenten.

Onderzoek verzenden Pdf

Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

Algemene beschrijving

De WSP6067A MOSFET's zijn de meest geavanceerde voor trench P-ch-technologie, met een zeer hoge celdichtheid. Ze leveren uitstekende prestaties in termen van zowel de RDSON- als de poortlading, geschikt voor de meeste synchrone buck-converters. Deze MOSFET's voldoen aan de RoHS- en Green Product-criteria, waarbij 100% EAS volledige functionele betrouwbaarheid garandeert.

Functies

Geavanceerde technologie maakt celgeulvorming met hoge dichtheid mogelijk, wat resulteert in een superlage poortlading en superieur CdV/dt-effectverval. Onze apparaten worden geleverd met 100% EAS-garantie en zijn milieuvriendelijk.

Toepassingen

Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, belastingschakelaar, e-sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medische apparatuur, autoladers, controllers, elektronische apparaten, kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica .

bijbehorende materiaalnummer

AOS

Belangrijke parameters

Symbool	Parameter	Beoordeling		Eenheden
Symbool	Parameter	N-kanaal	P-kanaal	Eenheden
VDS	Afvoerbronspanning	60	-60	V
VGS	Gate-bronspanning	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1	7,0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Gepulseerde afvoerstroom2	28	-20	A
EAS	Enkele puls lawine-energie3	22	28	mJ
IAS	Lawinestroom	21	-24	A
PD@TC=25℃	Totale vermogensdissipatie4	2.0	2.0	W
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 150	-55 tot 150	℃
TJ	Bedrijfstemperatuurbereik junctie	-55 tot 150	-55 tot 150	℃

Symbool	Parameter	Voorwaarden	Min.	Typ.	Max.	Eenheid
BVDSS	Doorslagspanning afvoerbron	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-temperatuurcoëfficiënt	Verwijzing naar 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=4,5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Poortdrempelspanning	VGS=VDS, ID=250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) temperatuurcoëfficiënt	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Afvoerbron lekstroom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afvoerbron lekstroom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-source lekstroom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
vriendin	Voorwaartse transconductantie	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Poort weerstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Totale poortlading (4,5 V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-source-kosten		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain-lading		---	4.1	---
Td(aan)	Inschakelvertragingstijd	VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Stijg tijd		---	34	---
Td(uit)	Uitschakelvertragingstijd		---	23	---
Tf	Herfst tijd		---	6	---
Cis	Ingangscapaciteit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Kos	Uitgangscapaciteit		---	65	---
Crss	Omgekeerde overdrachtscapaciteit		---	45	---