WSP4888 Dubbele N-kanaal 30V 9,8A SOP-8 WINSOK MOSFET

producten

WSP4888 Dubbele N-kanaal 30V 9,8A SOP-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:


  • Modelnummer:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID KAART:9,8A
  • Kanaal:Dubbel N-kanaal
  • Pakket:SOP-8
  • Product zomers:De spanning van de WSP4888 MOSFET is 30V, de stroom is 9,8A, de weerstand is 13,5mΩ, het kanaal is Dual N-Channel en het pakket is SOP-8.
  • Toepassingen:E-sigaretten, draadloze opladers, motoren, drones, gezondheidszorg, auto-opladers, bedieningselementen, digitale apparaten, kleine apparaten en elektronica voor consumenten.
  • Product detail

    Sollicitatie

    Productlabels

    Algemene beschrijving

    De WSP4888 is een krachtige transistor met een dichte celstructuur, ideaal voor gebruik in synchrone buck-converters.Het beschikt over uitstekende RDSON- en poortladingen, waardoor het een topkeuze is voor deze toepassingen.Bovendien voldoet de WSP4888 aan zowel de RoHS- als de Green Product-vereisten en wordt hij geleverd met een 100% EAS-garantie voor een betrouwbare werking.

    Functies

    Geavanceerde Trench-technologie beschikt over een hoge celdichtheid en een superlage poortlading, waardoor het CdV/dt-effect aanzienlijk wordt verminderd.Onze apparaten worden geleverd met 100% EAS-garantie en milieuvriendelijke opties.

    Onze MOSFET's ondergaan strikte kwaliteitscontrolemaatregelen om ervoor te zorgen dat ze voldoen aan de hoogste industrienormen.Elke unit wordt grondig getest op prestaties, duurzaamheid en betrouwbaarheid, waardoor een lange levensduur van het product wordt gegarandeerd.Dankzij het robuuste ontwerp is hij bestand tegen extreme werkomstandigheden, waardoor een ononderbroken functionaliteit van de apparatuur wordt gegarandeerd.

    Concurrerende prijzen: Ondanks hun superieure kwaliteit zijn onze MOSFET's zeer concurrerend geprijsd, wat aanzienlijke kostenbesparingen oplevert zonder dat dit ten koste gaat van de prestaties.Wij zijn van mening dat alle consumenten toegang moeten hebben tot producten van hoge kwaliteit, en onze prijsstrategie weerspiegelt deze toewijding.

    Brede compatibiliteit: Onze MOSFET's zijn compatibel met een verscheidenheid aan elektronische systemen, waardoor ze een veelzijdige keuze zijn voor fabrikanten en eindgebruikers.Het kan naadloos worden geïntegreerd in bestaande systemen, waardoor de algehele prestaties worden verbeterd zonder dat grote ontwerpwijzigingen nodig zijn.

    Toepassingen

    Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter voor gebruik in MB/NB/UMPC/VGA-systemen, DC-DC-voedingssystemen voor netwerken, lastschakelaars, e-sigaretten, draadloze opladers, motoren, drones, medische apparatuur, autoladers, controllers , Digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica.

    bijbehorende materiaalnummer

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, OP NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Belangrijke parameters

    Symbool Parameter Beoordeling Eenheden
    VDS Afvoerbronspanning 30 V
    VGS Gate-bronspanning ±20 V
    ID@TC=25℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 8,0 A
    IDM Gepulseerde afvoerstroom2 45 A
    EAS Enkele puls lawine-energie3 25 mJ
    IAS Lawinestroom 12 A
    PD@TA=25℃ Totale vermogensdissipatie4 2.0 W
    TSTG Opslagtemperatuurbereik -55 tot 150
    TJ Bedrijfstemperatuurbereik junctie -55 tot 150
    Symbool Parameter Voorwaarden Min. Typ. Max. Eenheid
    BVDSS Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(AAN) Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=10V, ID=8,5A --- 13.5 18
           
        VGS=4,5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) temperatuurcoëfficiënt   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Afvoerbron lekstroom VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    vriendin Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Totale poortlading (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Gate-source-kosten --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain-lading --- 2.5 ---
    Td(aan) Inschakelvertragingstijd VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Stijg tijd --- 9.2 19
    Td(uit) Uitschakelvertragingstijd --- 19 34
    Tf Herfst tijd --- 4.2 8
    Cis Ingangscapaciteit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Kos Uitgangscapaciteit --- 98 112
    Crss Omgekeerde overdrachtscapaciteit --- 59 91

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons