WSP4099 Dubbel P-kanaal -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

producten

WSP4099 Dubbel P-kanaal -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:


  • Modelnummer:WSP4099
  • BVDSS:-40V
  • RDSON:30mΩ
  • ID KAART:-6,5A
  • Kanaal:Dubbel P-kanaal
  • Pakket:SOP-8
  • Product zomers:De WSP4099 MOSFET heeft een spanning van -40V, een stroom van -6,5A, een weerstand van 30mΩ, een Dual P-Channel en wordt geleverd in een SOP-8-pakket.
  • Toepassingen:Elektronische sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medisch, autoladers, controllers, digitale producten, kleine apparaten, consumentenelektronica.
  • Product detail

    Sollicitatie

    Productlabels

    Algemene beschrijving

    De WSP4099 is een krachtige trench P-ch MOSFET met een hoge celdichtheid.Het levert uitstekende RDSON- en poortlading, waardoor het geschikt is voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen.Het voldoet aan de RoHS- en GreenProduct-normen en heeft 100% EAS-garantie met goedkeuring voor volledige functionele betrouwbaarheid.

    Functies

    Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, ultra-lage poortlading, uitstekend CdV/dt-effectverval en een 100% EAS-garantie zijn allemaal kenmerken van onze groene apparaten die direct verkrijgbaar zijn.

    Toepassingen

    Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter voor MB/NB/UMPC/VGA, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, belastingschakelaar, e-sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medische zorg, autoladers, controllers, digitale producten , kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica.

    bijbehorende materiaalnummer

    OP FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

    Belangrijke parameters

    Symbool Parameter Beoordeling Eenheden
    VDS Afvoerbronspanning -40 V
    VGS Gate-bronspanning ±20 V
    ID@TC=25℃ Continue afvoerstroom, -VGS @ -10V1 -6,5 A
    ID@TC=100℃ Continue afvoerstroom, -VGS @ -10V1 -4,5 A
    IDM Gepulseerde afvoerstroom2 -22 A
    EAS Enkele puls lawine-energie3 25 mJ
    IAS Lawinestroom -10 A
    PD@TC=25℃ Totale vermogensdissipatie4 2.0 W
    TSTG Opslagtemperatuurbereik -55 tot 150
    TJ Bedrijfstemperatuurbereik junctie -55 tot 150
    Symbool Parameter Voorwaarden Min. Typ. Max. Eenheid
    BVDSS Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=-1mA --- -0,02 --- V/℃
    RDS(AAN) Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=-10V, ID=-6,5A --- 30 38
    VGS=-4,5V, ID=-4,5A --- 46 62
    VGS(th) Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=-250uA -1,5 -2,0 -2,5 V
    △VGS(th) VGS(th) temperatuurcoëfficiënt --- 3,72 --- V/℃
    IDSS Afvoerbron lekstroom VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    vriendin Voorwaartse transconductantie VDS=-5V, ID=-4A --- 8 --- S
    Qg Totale poortlading (-4,5 V) VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A --- 7.5 --- nC
    Qgs Gate-source-kosten --- 2.4 ---
    Qgd Gate-Drain-lading --- 3.5 ---
    Td(aan) Inschakelvertragingstijd VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω,

    ID=-1A,RL=20Ω

    --- 8.7 --- ns
    Tr Stijg tijd --- 7 ---
    Td(uit) Uitschakelvertragingstijd --- 31 ---
    Tf Herfst tijd --- 17 ---
    Cis Ingangscapaciteit VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 668 --- pF
    Kos Uitgangscapaciteit --- 98 ---
    Crss Omgekeerde overdrachtscapaciteit --- 72 ---

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons