WSM340N10G N-kanaal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Algemene beschrijving
De WSM340N10G is de best presterende N-Ch MOSFET met extreem hoge celdichtheid, die uitstekende RDSON en poortlading biedt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen. De WSM340N10G voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereiste, 100% EAS gegarandeerd met goedgekeurde volledige functionele betrouwbaarheid.
Functies
Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, Uitstekende afname van het CDV/dt-effect, 100% EAS-garantie, Groen apparaat beschikbaar.
Toepassingen
Synchrone rectificatie, DC/DC-converter, lastschakelaar, medische apparatuur, drones, PD-voedingen, LED-voedingen, industriële apparatuur, enz.
Belangrijke parameters
Absolute maximale beoordelingen
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 100 | V |
| VGS | Gate-bronspanning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Lawine-energie, enkele puls, L=0,5 mH | 1800 | mJ |
| IAS | Lawinestroom, enkele puls, L=0,5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | Totale vermogensdissipatie | 187 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 175 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | 175 | ℃ |
Elektrische kenmerken (TJ=25℃, tenzij anders vermeld)
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperatuurcoëfficiënt | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 60 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 50 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 322 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 220 | --- |
Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons
