WSM320N04G N-kanaal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Modelnummer:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mΩ

ID KAART:320A

Kanaal:N-kanaal

Pakket:TOL-8L

Product zomers:De WSM320N04G MOSFET heeft een spanning van 40V, een stroom van 320A, een weerstand van 1,2mΩ, een N-kanaal en een TOLL-8L-pakket.

Toepassingen:Elektronische sigaretten, draadloos opladen, drones, medisch, auto-opladen, controllers, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten, consumentenelektronica.

Stuur een e-mail naar ons Pdf

Product detail

Sollicitatie

Productlabels

Algemene beschrijving

De WSM320N04G is een krachtige MOSFET die gebruik maakt van een geulontwerp en een zeer hoge celdichtheid heeft.Het heeft een uitstekende RDSON- en poortlading en is geschikt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen.De WSM320N04G voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereisten en heeft gegarandeerd 100% EAS en volledige functionele betrouwbaarheid.

Functies

Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid en tegelijkertijd een lage poortlading voor optimale prestaties.Bovendien beschikt het over een uitstekende daling van het CdV/dt-effect, een 100% EAS-garantie en een milieuvriendelijke optie.

Toepassingen

Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, toepassing van elektrisch gereedschap, elektronische sigaretten, draadloos opladen, drones, medisch, auto-opladen, controllers, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica.

Belangrijke parameters

Symbool	Parameter	Beoordeling	Eenheden
VDS	Afvoerbronspanning	40	V
VGS	Gate-bronspanning	±20	V
ID@TC=25℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Gepulseerde afvoerstroom2	900	A
EAS	Enkele puls lawine-energie3	980	mJ
IAS	Lawinestroom	70	A
PD@TC=25℃	Totale vermogensdissipatie4	250	W
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 175	℃
TJ	Bedrijfstemperatuurbereik junctie	-55 tot 175	℃

Symbool	Parameter	Voorwaarden	Min.	Typ.	Max.	Eenheid
BVDSS	Doorslagspanning afvoerbron	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-temperatuurcoëfficiënt	Verwijzing naar 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=4,5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Poortdrempelspanning	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) temperatuurcoëfficiënt	VGS=VDS, ID=250uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Afvoerbron lekstroom	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afvoerbron lekstroom	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-source lekstroom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
vriendin	Voorwaartse transconductantie	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Poort weerstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Totale poortlading (10V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Gate-source-kosten		---	43	---
Qgd	Gate-Drain-lading		---	83	---
Td(aan)	Inschakelvertragingstijd	VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	Stijg tijd		---	115	---
Td(uit)	Uitschakelvertragingstijd		---	95	---
Tf	Herfst tijd		---	80	---
Cis	Ingangscapaciteit	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	8100	---	pF
Kos	Uitgangscapaciteit		---	1200	---
Crss	Omgekeerde overdrachtscapaciteit		---	800	---