WSM320N04G N-kanaal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Algemene beschrijving
De WSM320N04G is een krachtige MOSFET die gebruik maakt van een geulontwerp en een zeer hoge celdichtheid heeft. Het heeft een uitstekende RDSON- en poortlading en is geschikt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen. De WSM320N04G voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereisten en heeft gegarandeerd 100% EAS en volledige functionele betrouwbaarheid.
Functies
Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid en tegelijkertijd een lage poortlading voor optimale prestaties. Bovendien beschikt het over een uitstekende daling van het CdV/dt-effect, een 100% EAS-garantie en een milieuvriendelijke optie.
Toepassingen
Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, toepassing van elektrisch gereedschap, elektronische sigaretten, draadloos opladen, drones, medisch, auto-opladen, controllers, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten en consumentenelektronica.
Belangrijke parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden | |
| VDS | Afvoerbronspanning | 40 | V | |
| VGS | Gate-bronspanning | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 900 | A | |
| EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 980 | mJ | |
| IAS | Lawinestroom | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 250 | W | |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 175 | ℃ | |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 175 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperatuurcoëfficiënt | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 83 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 115 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 80 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 1200 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 800 | --- |
