WSF6012 N&P-kanaal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Algemene beschrijving
De WSF6012 MOSFET is een krachtig apparaat met een ontwerp met hoge celdichtheid. Het biedt uitstekende RDSON- en poortlading, geschikt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen. Bovendien voldoet het aan de RoHS- en Green Product-vereisten en wordt het geleverd met 100% EAS-garantie voor volledige functionaliteit en betrouwbaarheid.
Functies
Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, uitstekende afname van het CdV/dt-effect, 100% EAS-garantie en milieuvriendelijke apparaatopties.
Toepassingen
Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, belastingschakelaar, e-sigaretten, draadloos opladen, motoren, noodstroomvoorzieningen, drones, gezondheidszorg, autoladers, controllers, digitale apparaten, kleine huishoudelijke apparaten, en consumentenelektronica.
bijbehorende materiaalnummer
AOS AOD603A,
Belangrijke parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden | |
| N-kanaal | P-kanaal | |||
| VDS | Afvoerbronspanning | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-bronspanning | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Lawinestroom | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | -55 tot 150 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | -55 tot 150 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperatuurcoëfficiënt | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Totale poortlading (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 4.6 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 70 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 35 | --- |
