WSD80120DN56 N-kanaal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD80120DN56 MOSFET is 85V, de stroom is 120A, de weerstand is 3,7mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
MOSFET voor medische spanning, MOSFET voor fotografische apparatuur, MOSFET voor drones, MOSFET voor industriële besturing, 5G MOSFET, MOSFET voor auto-elektronica.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 85 | V |
| VGS | Poort-Source-spanning | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Lawine-energie, enkele puls, L=0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Lawinestroom, enkele puls, L=0,5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Totale vermogensdissipatie | 53 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 175 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | 175 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(d) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ikD=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 11 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 18 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 10 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 180 | --- |
