WSD80100DN56 N-kanaal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD80100DN56 N-kanaal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD80100DN56

BVDSS:80V

Identiteitskaart:100A

RDSON:6,1 mΩ

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD80100DN56 MOSFET is 80V, de stroom is 100A, de weerstand is 6,1mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Drones MOSFET, motoren MOSFET, auto-elektronica MOSFET, MOSFET voor grote apparaten.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Halfgeleider MOSFET PDC7966X.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

80

V

VGS

Poort-Source-spanning

±20

V

TJ

Maximale verbindingstemperatuur

150

°C

ID

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

°C

ID

Continue afvoerstroom, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Continue afvoerstroom, VGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

Gepulseerde afvoerstroom, TC=25°C

380

A

PD

Maximale vermogensdissipatie, TC=25°C

200

W

RqJC

Thermische weerstand-verbinding met behuizing

0,8

°C

EAS

Lawine-energie, enkele puls, L=0,5 mH

800

mJ

 

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ikD=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25, ID=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=10V, IKD=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4,0

V

VGS(d)

VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

vriendin

Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ikD=20A

80

---

---

S

Qg

Totale poortlading (10V) VDS=30V, VGS=10V, ikD=30A

---

125

---

nC

Qgs

Gate-source-kosten

---

24

---

Qgd

Gate-Drain-lading

---

30

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=30V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, ID=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Stijg tijd

---

19

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

70

---

Tf

Herfst tijd

---

30

---

Cis

Ingangscapaciteit VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

---

410

---

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

---

315

---


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons