WSD75N12GDN56 N-kanaal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD75N12GDN56 N-kanaal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

Identiteitskaart:75A

RDSON:6mΩ

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD75N12GDN56 MOSFET is 120V, de stroom is 75A, de weerstand is 6mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Medische apparatuur MOSFET, drones MOSFET, PD-voedingen MOSFET, LED-voedingen MOSFET, industriële apparatuur MOSFET.

MOSFET-toepassingsveldenWINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDSS

Afvoer-naar-bron-spanning

120

V

VGS

Gate-to-source-spanning

±20

V

ID

1

Continue afvoerstroom (Tc=25℃)

75

A

ID

1

Continue afvoerstroom (Tc=70℃)

70

A

IDM

Gepulseerde afvoerstroom

320

A

IAR

Enkelvoudige lawinestroom

40

A

EASa

Lawine-energie met één puls

240

mJ

PD

Vermogensdissipatie

125

W

TJ, Tstg

Bedrijfsaansluiting en opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

TL

Maximale temperatuur voor solderen

260

RθJC

Thermische weerstand, verbinding tot behuizing

1,0

℃/W

RθJA

Thermische weerstand, verbinding-naar-omgeving

50

℃/W

 

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

Typ.

Max.

Eenheden

VDSS

Afvoer naar brondoorslagspanning VGS=0V, ID=250 µA

120

--

--

V

IDSS

Afvoer naar bronlekstroom VDS = 120V, VGS= 0V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Poort naar bron voorwaartse lekkage VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Poort naar bron omgekeerde lekkage VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Poortdrempelspanning VDS=VGS, ID = 250 µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(AAN)1

Afvoer-naar-bron-weerstand VGS=10V, ID=20A

--

6,0

6.8

gFS

Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Cis

Ingangscapaciteit VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz

--

4282

--

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

--

429

--

pF

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

--

17

--

pF

Rg

Poort weerstand

--

2.5

--

Ω

td(AAN)

Inschakelvertragingstijd

ID =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Stijg tijd

--

11

--

ns

td(UIT)

Uitschakelvertragingstijd

--

55

--

ns

tf

Herfst tijd

--

28

--

ns

Qg

Totale poortkosten VGS =0~10V VDS = 50VID=20A

--

61,4

--

nC

Qgs

Poortbronlading

--

17.4

--

nC

Qgd

Poortafvoerlading

--

14.1

--

nC

IS

Diode voorwaartse stroom TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

Diodepulsstroom

--

--

320

A

VSD

Diode voorwaartse spanning IS=6,0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

tr

Omgekeerde hersteltijd IS=20A, VDD=50VdIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

Omgekeerde herstelkosten

--

250

--

nC


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons