WSD6070DN56 N-kanaal 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD6070DN56 MOSFET is 60V, de stroom is 80A, de weerstand is 7,3mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
E-sigaretten MOSFET, draadloos opladen MOSFET, motoren MOSFET, drones MOSFET, medische zorg MOSFET, autoladers MOSFET, controllers MOSFET, digitale producten MOSFET, kleine huishoudelijke apparaten MOSFET, consumentenelektronica MOSFET.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
POTENS Halfgeleider MOSFET PDC696X.
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 60 | V |
| VGS | Poort-Source-spanning | ±20 | V |
| TJ | Maximale verbindingstemperatuur | 150 | °C |
| ID | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | °C |
| IS | Diode Continue voorwaartse stroom, TC=25°C | 80 | A |
| ID | Continue afvoerstroom, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Continue afvoerstroom, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom, TC=25°C | 300 | A |
| PD | Maximale vermogensdissipatie, TC=25°C | 150 | W |
| Maximale vermogensdissipatie, TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Thermische weerstand-verbinding met omgevingstemperatuur, t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Thermische weerstand-verbinding met omgevingstemperatuur, stabiele toestand | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Thermische weerstand-verbinding met behuizing | 1 | °C/W |
| IAS | Lawinestroom, enkele puls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Lawine-energie, enkele puls, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, IKD=40A | --- | 7,0 | 9,0 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ikD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ikD=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 12 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 10 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 35 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 160 | --- |
