WSD6040DN56 N-kanaal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD6040DN56 N-kanaal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD6040DN56

BVDSS:60V

Identiteitskaart:36A

RDSON:14mΩ 

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD6040DN56 MOSFET is 60V, de stroom is 36A, de weerstand is 14mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

E-sigaretten MOSFET, draadloos opladen MOSFET, motoren MOSFET, drones MOSFET, medische zorg MOSFET, autoladers MOSFET, controllers MOSFET, digitale producten MOSFET, kleine huishoudelijke apparaten MOSFET, consumentenelektronica MOSFET.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Halfgeleider MOSFET PDC6964X.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

60

V

VGS

Gate-bronspanning

±20

V

ID

Continue afvoerstroom TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Continue afvoerstroom TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Gepulseerde afvoerstroom TC=25°C

140

A

PD

Maximale vermogensdissipatie TC=25°C

37,8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maximale vermogensdissipatie TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Lawinestroom, enkele puls

L=0,5mH

16

A

EASc

Enkele puls lawine-energie

L=0,5mH

64

mJ

IS

Diode Continue voorwaartse stroom

TC=25°C

18

A

TJ

Maximale verbindingstemperatuur

150

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

RθJAb

Thermische weerstand Verbinding met omgevingstemperatuur

Stabiele staat

60

/W

RθJC

Thermische weerstand-verbinding met behuizing

Stabiele staat

3.3

/W

 

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

Statisch        

V(BR)DSS

Doorslagspanning afvoerbron

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nul-poort spanningsafvoerstroom

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Poortlekstroom

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Over kenmerken        

VGS(TH)

Poortdrempelspanning

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1

1.6

2.5

V

RDS(aan)d

Drain-Source On-State-weerstand

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5V, ID = 20A

  19

22

Schakelen        

Qg

Totale poortkosten

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-zure lading  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain-lading  

9.6

 

nC

td (aan)

Inschakelvertragingstijd

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Stijgtijd inschakelen  

9

 

ns

td(uit)

Uitschakelvertragingstijd   58  

ns

tf

Schakel de herfsttijd uit   14  

ns

Rg

Gat-weerstand

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dynamisch        

Cis

Bij capaciteit

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Kos

Uit capaciteit   140  

pF

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit   100  

pF

Kenmerken en maximale waarden van drain-source-diode        

IS

Continue bronstroom

VG=VD=0V, krachtstroom

   

18

A

ISM

Gepulseerde bronstroom 3    

35

A

VSDd

Diode voorwaartse spanning

ISD=20A, VGS=0V

 

0,8

1.3

V

tr

Omgekeerde hersteltijd

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Omgekeerde herstelkosten   33  

nC


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons