WSD45N10GDN56 N-kanaal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD45N10GDN56 MOSFET is 100V, de stroom is 45A, de weerstand is 14,5mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
E-sigaretten MOSFET, draadloos opladen MOSFET, motoren MOSFET, drones MOSFET, medische zorg MOSFET, autoladers MOSFET, controllers MOSFET, digitale producten MOSFET, kleine huishoudelijke apparaten MOSFET, consumentenelektronica MOSFET.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Halfgeleider MOSFET PDC966X.
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 100 | V |
| VGS | Poort-Source-spanning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Gepulseerde afvoerstroom | 130 | A |
| EASb | Enkele puls lawine-energie | 169 | mJ |
| IASb | Lawinestroom | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Totale vermogensdissipatie | 5,0 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN)d | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ikD=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(d) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qge | Totale poortlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ikD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Gate-source-kosten | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain-lading | --- | 12 | --- | ||
| Td(aan)e | Inschakelvertragingstijd | VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Stijg tijd | --- | 9 | 17 | ||
| Td(uit)e | Uitschakelvertragingstijd | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Herfst tijd | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Ingangscapaciteit | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Uitgangscapaciteit | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 42 | --- |
