WSD4280DN22 Dubbel P-kanaal -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

producten

WSD4280DN22 Dubbel P-kanaal -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD4280DN22

BVDSS:-15V

Identiteitskaart:-4,6A

RDSON:47mΩ 

Kanaal:Dubbel P-kanaal

Pakket:DFN2X2-6L


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD4280DN22 MOSFET is -15V, de stroom is -4,6A, de weerstand is 47mΩ, het kanaal is Dual P-channel en het pakket is DFN2X2-6L.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Bidirectionele blokkeerschakelaar; DC-DC-conversietoepassingen; Li-batterij opladen; MOSFET voor e-sigaretten, MOSFET voor draadloos opladen, MOSFET voor auto-opladen, MOSFET voor controllers, MOSFET voor digitale producten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor consumentenelektronica.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

PANJIT MOSFET PJQ2815

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

-15

V

VGS

Gate-bronspanning

±8

V

ID@Tc=25℃

Continue afvoerstroom, VGS= -4,5V1 

-4,6

A

IDM

300 μS gepulseerde afvoerstroom, (VGS=-4,5V)

-15

A

PD 

Vermogensdissipatie Derating boven TA = 25°C (Opmerking 2)

1.9

W

TSTG, TJ 

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

RθJA

Thermische weerstand Verbinding-omgeving1

65

℃/W

RθJC

Thermische weerstand aansluitbehuizing1

50

℃/W

Elektrische kenmerken (TJ=25 ℃, tenzij anders vermeld)

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS 

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ikD=-250uA

-15

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2  VGS=-4,5V, ikD=-1A

---

47

61

VGS=-2,5V, ikD=-1A

---

61

80

VGS=-1,8V, ikD=-1A

---

90

150

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=-250uA

-0,4

-0,62

-1,2

V

△VGS(d) 

VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±12V, VDS=0V

---

---

±100

nA

vriendin

Voorwaartse transconductantie VDS=-5V, ikD=-1A

---

10

---

S

Rg 

Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

2

---

Ω

Qg 

Totale poortlading (-4,5 V)

VDS=-10V, VGS=-4,5V, ikD=-4,6A

---

9.5

---

nC

Qgs 

Gate-source-kosten

---

1.4

---

Qgd 

Gate-Drain-lading

---

2.3

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=-10V,VGS=-4,5V, RG=1Ω

ID=-3,9A,

---

15

---

ns

Tr 

Stijg tijd

---

16

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

30

---

Tf 

Herfst tijd

---

10

---

Cis 

Ingangscapaciteit VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz

---

781

---

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

---

98

---

Crss 

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

---

96

---


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons