WSD4280DN22 Dubbel P-kanaal -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD4280DN22 MOSFET is -15V, de stroom is -4,6A, de weerstand is 47mΩ, het kanaal is Dual P-channel en het pakket is DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
Bidirectionele blokkeerschakelaar;DC-DC-conversietoepassingen; Li-batterij opladen; MOSFET voor e-sigaretten, MOSFET voor draadloos opladen, MOSFET voor auto-opladen, MOSFET voor controllers, MOSFET voor digitale producten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor consumentenelektronica.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | -15 | V |
| VGS | Gate-bronspanning | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS= -4,5V1 | -4,6 | A |
| IDM | 300 μS gepulseerde afvoerstroom, (VGS=-4,5V) | -15 | A |
| PD | Vermogensdissipatie Derating boven TA = 25°C (Opmerking 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | ℃ |
| RθJA | Thermische weerstand Verbinding-omgeving1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Thermische weerstand aansluitkast1 | 50 | ℃/W |
Elektrische kenmerken (TJ=25 ℃, tenzij anders vermeld)
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-temperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=-4,5V, ikD=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ikD=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8V, ikD=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1,2 | V |
| △VGS(d) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=-5V, ikD=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Totale poortlading (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ikD=-4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=-10V,VGS=-4,5V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 16 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 10 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 96 | --- |
