WSD4018DN22 P-kanaal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

producten

WSD4018DN22 P-kanaal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

Identiteitskaart:-18A

RDSON:26mΩ 

Kanaal:P-kanaal

Pakket:DFN2X2-6L


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD4018DN22 MOSFET is -40V, de stroom is -18A, de weerstand is 26mΩ, het kanaal is P-kanaal en het pakket is DFN2X2-6L.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, uitstekend Cdv/dt-effectdaling Groen apparaat beschikbaar, gezichtsherkenningsapparatuur MOSFET, MOSFET voor e-sigaretten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor autolader.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

-40

V

VGS

Gate-bronspanning

±20

V

ID@Tc=25℃

Continue afvoerstroom, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc=70℃

Continue afvoerstroom, VGS@ -10V1

-14,6

A

IDM

300 μS gepulseerde afvoerstroom, VGS=-4,5V2

54

A

PD@Tc=25℃

Totale vermogensdissipatie3

19

W

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

TJ

Bedrijfstemperatuurbereik junctie

-55 tot 150

Elektrische kenmerken (TJ=25 ℃, tenzij anders vermeld)

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ikD=-250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=-10V, ikD=-8,0A

---

26

34

VGS=-4,5V, ikD=-6,0A

---

31

42

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=-250uA

-1,0

-1,5

-3,0

V

△VGS(d)

VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Totale poortlading (-4,5 V) VDS=-20V, VGS=-10V, ikD=-1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Gate-source-kosten

---

2.5

---

Qgd

Gate-Drain-lading

---

6.7

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Stijg tijd

---

11

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

54

---

Tf

Herfst tijd

---

7.1

---

Cis

Ingangscapaciteit VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

---

116

---

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

---

97

---


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons