WSD40120DN56 N-kanaal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD40120DN56 MOSFET is 40V, de stroom is 120A, de weerstand is 1,85mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
E-sigaretten MOSFET, MOSFET voor draadloos opladen, MOSFET voor drones, MOSFET voor medische zorg, MOSFET voor autoladers, MOSFET voor controllers, MOSFET voor digitale producten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor consumentenelektronica.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MOSFET PJQ5 44.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halfgeleider MOSFET PDC496X.
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 40 | V |
| VGS | Poort-Source-spanning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 400 | A |
| EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 240 | mJ |
| IAS | Lawinestroom | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 104 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, IKD=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=4,5V, IKD=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(d) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ikD=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ikD=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 10 | 12 | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 34 | 40 | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 370 | --- |
