WSD40110DN56G N-kanaal 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD40110DN56G N-kanaal 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeel nummer:WSD40110DN56G

BVDSS:40V

ID KAART:110A

RDSON:2,5 mΩ 

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Product detail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD4080DN56 MOSFET is 40V, de stroom is 85A, de weerstand is 4,5mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Kleine apparaten MOSFET, draagbare apparaten MOSFET, motoren MOSFET.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Halfgeleider MOSFET PDC496X.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

40

V

VGS

Poort-Source-spanning

±20

V

ID@TC=25℃

Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100℃

Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Gepulseerde afvoerstroom2

100

A

EAS

Enkele puls lawine-energie3

110,5

mJ

IAS

Lawinestroom

47

A

PD@TC=25℃

Totale vermogensdissipatie4

52.1

W

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

TJ

Bedrijfstemperatuurbereik junctie

-55 tot 150

RθJA

Thermische weerstand Verbinding-omgeving1

62

/W

RθJC

Thermische weerstand aansluitkast1

2.4

/W

 

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4,5V, ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA

1,0

---

2.5

V

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

vriendin

Voorwaartse transconductantie VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Totale poortlading (4,5 V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Gate-source-kosten

---

5.8

---

Qgd

Gate-Drain-lading

---

9.5

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Stijg tijd

---

8.8

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

74

---

Tf

Herfst tijd

---

7

---

Cis

Ingangscapaciteit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

---

215

---

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

---

175

---

IS

Continue bronstroom1,5 VG=VD=0V, krachtstroom

---

---

70

A

VSD

Diode voorwaartse spanning2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1

V


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons