WSD30L88DN56 Dubbel P-kanaal -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Modelnummer:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

ID KAART:-49A

Kanaal:Dubbel P-kanaal

Pakket:DFN5*6-8

Product zomers:De spanning van de WSD30L88DN56 MOSFET is -30V, de stroom is-49A, de weerstand is 11,5mΩ, het kanaal is Dual P-channel en het pakket is DFN5*6-8.

Toepassingen:E-sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medische zorg, autoladers, controllers, digitale producten, kleine huishoudelijke apparaten, consumentenelektronica.

Stuur een e-mail naar ons Pdf

Product detail

Sollicitatie

Productlabels

Algemene beschrijving

De WSD30L88DN56 is de best presterende dubbele P-Ch MOSFET met extreem hoge celdichtheid, die uitstekende RDSON en poortlading biedt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen.De WSD30L88DN56 voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereiste. 100% EAS gegarandeerd met goedgekeurde volledige functionele betrouwbaarheid.

Functies

Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, Uitstekende afname van het CDV/dt-effect, 100% EAS-garantie, Groen apparaat beschikbaar.

Toepassingen

Hoogfrequent point-of-load synchroon, Buck-converter voor MB/NB/UMPC/VGA, Netwerkend DC-DC-voedingssysteem, Load Switch, E-sigaretten, draadloos opladen, motoren, drones, medische zorg, autoladers, controllers, digitaal producten, kleine huishoudelijke apparaten, consumentenelektronica.

bijbehorende materiaalnummer

AOS

Belangrijke parameters

Symbool	Parameter	Beoordeling	Eenheden
VDS	Afvoerbronspanning	-30	V
VGS	Gate-bronspanning	±20	V
ID@TC=25℃	Continue afvoerstroom, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Continue afvoerstroom, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Gepulseerde afvoerstroom2	-120	A
EAS	Enkele puls lawine-energie3	68	mJ
PD@TC=25℃	Totale vermogensdissipatie4	40	W
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 150	℃
TJ	Bedrijfstemperatuurbereik junctie	-55 tot 150	℃