WSD30350DN56G N-kanaal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD30350DN56G MOSFET is 30V, de stroom is 350A, de weerstand is 1,8mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
E-sigaretten MOSFET, MOSFET voor draadloos opladen, MOSFET voor drones, MOSFET voor medische zorg, MOSFET voor autoladers, MOSFET voor controllers, MOSFET voor digitale producten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor consumentenelektronica.
MOSFET-parameters
| Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
| VDS | Afvoerbronspanning | 30 | V |
| VGS | Poort-Source-spanning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom(Silicium Limited）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Continue afvoerstroom (silicium beperkt）1,7 | 247 | A |
| IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 600 | A |
| EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 1800 | mJ |
| IAS | Lawinestroom | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 104 | W |
| TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | ℃ |
| TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | ℃ |
| Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min. | Typ. | Max. | Eenheid |
| BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ikD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatuurcoëfficiënt | Verwijzing naar 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ikD=20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS=4,5V, ikD=20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(d) | VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt | --- | -6,1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| vriendin | Voorwaartse transconductantie | VDS=5V, ikD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Totale poortlading (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ikD=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Gate-source-kosten | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 20 | --- | ||
| Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=15V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Stijg tijd | --- | 34 | --- | ||
| Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Herfst tijd | --- | 18 | --- | ||
| Cis | Ingangscapaciteit | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 139 | --- |
