WSD30300DN56G N-kanaal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-productoverzicht
De spanning van de WSD20100DN56 MOSFET is 20V, de stroom is 90A, de weerstand is 1,6mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden
Elektronische sigaretten MOSFET, drones MOSFET, elektrisch gereedschap MOSFET, fascia-pistolen MOSFET, PD MOSFET, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten.
WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Halfgeleider MOSFET PDC394X.
MOSFET-parameters
Symbool | Parameter | Beoordeling | Eenheden |
VDS | Afvoerbronspanning | 20 | V |
VGS | Gate-bronspanning | ±12 | V |
ID@TC=25℃ | Continue afvoerstroom1 | 90 | A |
ID@TC=100℃ | Continue afvoerstroom1 | 48 | A |
IDM | Gepulseerde afvoerstroom2 | 270 | A |
EAS | Enkele puls lawine-energie3 | 80 | mJ |
IAS | Lawinestroom | 40 | A |
PD@TC=25℃ | Totale vermogensdissipatie4 | 83 | W |
TSTG | Opslagtemperatuurbereik | -55 tot 150 | ℃ |
TJ | Bedrijfstemperatuurbereik junctie | -55 tot 150 | ℃ |
RθJA | Thermische weerstand Verbinding-omgeving1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
RθJA | Thermische weerstand Verbinding-omgeving1(stabiele toestand) | 55 | ℃/W |
RθJC | Thermische weerstand aansluitkast1 | 1.5 | ℃/W |
Symbool | Parameter | Voorwaarden | Min | Typ | Max | Eenheid |
BVDSS | Doorslagspanning afvoerbron | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
VGS(th) | Poortdrempelspanning | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1,0 | V |
RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
RDS(AAN) | Statische afvoerbron op weerstand2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
IDSS | Afvoerbron lekstroom | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-source lekstroom | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
Rg | Poort weerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
Qg | Totale poortlading (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
Qgs | Gate-source-kosten | --- | 8.7 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain-lading | --- | 14 | --- | ||
Td(aan) | Inschakelvertragingstijd | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
Tr | Stijg tijd | --- | 11.7 | --- | ||
Td(uit) | Uitschakelvertragingstijd | --- | 56,4 | --- | ||
Tf | Herfst tijd | --- | 16.2 | --- | ||
Cis | Ingangscapaciteit | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
Kos | Uitgangscapaciteit | --- | 501 | --- | ||
Crss | Omgekeerde overdrachtscapaciteit | --- | 321 | --- | ||
IS | Continue bronstroom1,5 | VG=VD=0V, krachtstroom | --- | --- | 50 | A |
VSD | Diode voorwaartse spanning2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
tr | Omgekeerde hersteltijd | IF=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
Qrr | Omgekeerde herstelkosten | --- | 72 | --- | nC |