WSD3023DN56 N-Ch en P-kanaal 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD3023DN56 N-Ch en P-kanaal 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:


  • Modelnummer:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDSON:14mΩ/23mΩ
  • ID KAART:14A/-12A
  • Kanaal:N-Ch en P-kanaal
  • Pakket:DFN5*6-8
  • Product zomers:De spanning van de WSD3023DN56 MOSFET is 30V/-30V, de stroom is14A/-12A, de weerstand is 14mΩ/23mΩ, het kanaal is N-Ch en P-Channel en het pakket is DFN5*6-8.
  • Toepassingen:Drones, motoren, auto-elektronica, grote apparaten.
  • Product detail

    Sollicitatie

    Productlabels

    Algemene beschrijving

    De WSD3023DN56 is de best presterende N-ch- en P-ch-MOSFET met extreem hoge celdichtheid, die uitstekende RDSON- en poortlading biedt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen.De WSD3023DN56 voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereiste. 100% EAS gegarandeerd met goedgekeurde volledige functionele betrouwbaarheid.

    Functies

    Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, Uitstekende afname van het CDV/dt-effect, 100% EAS-garantie, Groen apparaat beschikbaar.

    Toepassingen

    Hoogfrequente point-of-load synchrone buck-converter voor MB/NB/UMPC/VGA, netwerk-DC-DC-voedingssysteem, CCFL-achtergrondverlichtingsomvormer, drones, motoren, auto-elektronica, grote apparaten.

    bijbehorende materiaalnummer

    PANJIT PJQ5606

    Belangrijke parameters

    Symbool Parameter Beoordeling Eenheden
    N-Ch P-Ch
    VDS Afvoerbronspanning 30 -30 V
    VGS Gate-bronspanning ±20 ±20 V
    ID Continue afvoerstroom, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ 14* -12 A
    Continue afvoerstroom, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ 7.6 -9,7 A
    IDP een Pulsafvoerstroom getest, VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EAS c Lawine-energie, enkele puls, L=0,5 mH 20 20 mJ
    IAS c Lawinestroom, enkele puls, L=0,5 mH 9 -9 A
    PD Totale vermogensdissipatie, Ta=25℃ 5.25 5.25 W
    TSTG Opslagtemperatuurbereik -55 tot 175 -55 tot 175
    TJ Bedrijfstemperatuurbereik junctie 175 175
    RqJA b Thermische weerstand-verbinding met omgevingstemperatuur, stabiele toestand 60 60 ℃/W
    RqJC Thermische weerstand-verbinding met behuizing, stabiele toestand 6.25 6.25 ℃/W
    Symbool Parameter Voorwaarden Min. Typ. Max. Eenheid
    BVDSS Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(AAN)d Statische afvoerbron op weerstand VGS=10V, ID=8A --- 14 18.5
    VGS=4,5V, ID=5A --- 17 25
    VGS(th) Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS Afvoerbron lekstroom VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ --- --- 30
    IGSS Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.7 3.4 Ω
    Qge Totale poortkosten VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A --- 5.2 --- nC
    Qgse Gate-source-kosten --- 1,0 ---
    Qgde Gate-Drain-lading --- 2.8 ---
    Td(aan)e Inschakelvertragingstijd VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. --- 6 --- ns
    Tre Stijg tijd --- 8.6 ---
    Td(uit)e Uitschakelvertragingstijd --- 16 ---
    Tfe Herfst tijd --- 3.6 ---
    Cisse Ingangscapaciteit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 545 --- pF
    Cosse Uitgangscapaciteit --- 95 ---
    Crsse Omgekeerde overdrachtscapaciteit --- 55 ---

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons