WSD30150ADN56 N-kanaal 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD30150ADN56 N-kanaal 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeelnummer:WSD30150ADN56

BVDSS:30V

Identiteitskaart:145A

RDSON:2,2 mΩ 

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD30150DN56 MOSFET is 30V, de stroom is 150A, de weerstand is 1,8mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

E-sigaretten MOSFET, draadloos opladen MOSFET, drones MOSFET, medische zorg MOSFET, autoladers MOSFET, controllers MOSFET, digitale producten MOSFET, kleine huishoudelijke apparaten MOSFET, consumentenelektronica MOSFET.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

AOS-MOSFET AON6512,AONS3234.

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.

POTENS Halfgeleider MOSFET PDC392X.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

30

V

VGS

Poort-Source-spanning

±20

V

ID@TC=25

Continue afvoerstroom, VGS@ 10V1,7

150

A

ID@TC=100

Continue afvoerstroom, VGS@ 10V1,7

83

A

IDM

Gepulseerde afvoerstroom2

200

A

EAS

Enkele puls lawine-energie3

125

mJ

IAS

Lawinestroom

50

A

PD@TC=25

Totale vermogensdissipatie4

62,5

W

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

TJ

Bedrijfstemperatuurbereik junctie

-55 tot 150

 

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ikD=250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25, ID=1mA

---

0,02

---

V/

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=10V, ikD=20A

---

1.8

2.4 mΩ
VGS=4,5V, ikD=15A  

2.4

3.2

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA

1.4

1.7

2.5

V

VGS(d)

VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt

---

-6,1

---

mV/

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=24V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

vriendin

Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ikD=10A

---

27

---

S

Rg

Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

0,8

1.5

Ω

Qg

Totale poortlading (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ikD=30A

---

26

---

nC

Qgs

Gate-source-kosten

---

9.5

---

Qgd

Gate-Drain-lading

---

11.4

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Stijg tijd

---

12

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

69

---

Tf

Herfst tijd

---

29

---

Cis

Ingangscapaciteit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 2560 3200

3850

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

560

680

800

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

260

320

420


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons