WSD30140DN56 N-kanaal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Modelnummer:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

Identiteitskaart:85A

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5*6-8

Product zomers:De spanning van de WSD30140DN56 MOSFET is 30V, de stroom is 85A, de weerstand is 1,7mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5*6-8.

Toepassingen:Elektronische sigaretten, draadloze opladers, drones, medische zorg, autoladers, controllers, digitale producten, kleine apparaten, consumentenelektronica, enz.

Stuur een e-mail naar ons Pdf

Productdetail

Sollicitatie

Productlabels

Algemene beschrijving

De WSD30140DN56 is de best presterende N-kanaals MOSFET met zeer hoge celdichtheid en biedt uitstekende RDSON en poortlading voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen. WSD30140DN56 voldoet aan de RoHS- en groene productvereisten, 100% EAS-garantie, goedgekeurd voor volledige functionele betrouwbaarheid.

Functies

Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, ultra-lage poortlading, uitstekende CdV/dt-effectdemping, 100% EAS-garantie, groene apparaten beschikbaar

Toepassingen

Hoogfrequente point-of-load-synchronisatie, buck-converters, genetwerkte DC-DC-voedingssystemen, toepassingen voor elektrisch gereedschap, elektronische sigaretten, draadloos opladen, drones, medische zorg, auto-opladen, controllers, digitale producten, kleine apparaten, consumentenelektronica

bijbehorende materiaalnummer

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. AAN NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. APAP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Belangrijke parameters

Symbool	Parameter	Beoordeling	Eenheden
VDS	Afvoerbronspanning	30	V
VGS	Gate-bronspanning	±20	V
ID@TC=25℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Gepulseerde afvoerstroom2	300	A
PD@TC=25℃	Totale vermogensdissipatie4	50	W
TSTG	Opslagtemperatuurbereik	-55 tot 150	℃
TJ	Bedrijfstemperatuurbereik junctie	-55 tot 150	℃

Symbool	Parameter	Voorwaarden	Min.	Typ.	Max.	Eenheid
BVDSS	Doorslagspanning afvoerbron	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-temperatuurcoëfficiënt	Verwijzing naar 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(AAN)	Statische afvoerbron op weerstand2	VGS=4,5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Poortdrempelspanning	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Afvoerbron lekstroom	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Afvoerbron lekstroom	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-source lekstroom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
vriendin	Voorwaartse transconductantie	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Totale poortlading (4,5 V)	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Gate-source-kosten		---	9.5	---
Qgd	Gate-Drain-lading		---	11.4	---
Td(aan)	Inschakelvertragingstijd	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Stijg tijd		---	6	---
Td(uit)	Uitschakelvertragingstijd		---	38,5	---
Tf	Herfst tijd		---	10	---
Cis	Ingangscapaciteit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Kos	Uitgangscapaciteit		---	1280	---
Crss	Omgekeerde overdrachtscapaciteit		---	160	---