WSD25280DN56G N-kanaal 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD25280DN56G N-kanaal 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:

Onderdeel nummer:WSD25280DN56G

BVDSS:25V

ID KAART:280A

RDSON:0,7mΩ 

Kanaal:N-kanaal

Pakket:DFN5X6-8


Product detail

Sollicitatie

Productlabels

WINSOK MOSFET-productoverzicht

De spanning van de WSD25280DN56G MOSFET is 25V, de stroom is 280A, de weerstand is 0,7mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-toepassingsgebieden

Hoogfrequent laadpunt synchroonBuck-converterNetwerken DC-DC-voedingssysteemToepassing van elektrisch gereedschap,E-sigaretten MOSFET, MOSFET voor draadloos opladen, MOSFET voor drones, MOSFET voor medische zorg, MOSFET voor autoladers, MOSFET voor controllers, MOSFET voor digitale producten, MOSFET voor kleine huishoudelijke apparaten, MOSFET voor consumentenelektronica.

WINSOK MOSFET komt overeen met materiaalnummers van andere merken

Nxperiaanse MOSFET PSMN1R-4ULD.

POTENS Halfgeleider MOSFET PDC262X.

MOSFET-parameters

Symbool

Parameter

Beoordeling

Eenheden

VDS

Afvoerbronspanning

25

V

VGS

Poort-Source-spanning

±20

V

ID@TC=25

Continue afvoerstroom(Silicium Limited1,7

280

A

ID@TC=70

Continue afvoerstroom (silicium beperkt1,7

190

A

IDM

Gepulseerde afvoerstroom2

600

A

EAS

Enkele puls lawine-energie3

1200

mJ

IAS

Lawinestroom

100

A

PD@TC=25

Totale vermogensdissipatie4

83

W

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot 150

TJ

Bedrijfstemperatuurbereik junctie

-55 tot 150

 

Symbool

Parameter

Voorwaarden

Min.

Typ.

Max.

Eenheid

BVDSS

Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ikD=250uA

25

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25, ID=1mA

---

0,022

---

V/

RDS(AAN)

Statische afvoerbron op weerstand2 VGS=10V, ikD=20A

---

0,7

0,9 mΩ
VGS=4,5V, ikD=20A

---

1.4

1.9

VGS(th)

Poortdrempelspanning VGS=VDS, ID=250uA

1,0

---

2.5

V

VGS(d)

VGS(d)Temperatuurcoëfficiënt

---

-6,1

---

mV/

IDSS

Afvoerbron lekstroom VDS=20V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=20V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-source lekstroom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

vriendin

Voorwaartse transconductantie VDS=5V, ikD=10A

---

40

---

S

Rg

Poort weerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Totale poortlading (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ikD=20A

---

72

---

nC

Qgs

Gate-source-kosten

---

18

---

Qgd

Gate-Drain-lading

---

24

---

Td(aan)

Inschakelvertragingstijd VDD=15V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=10A

---

33

---

ns

Tr

Stijg tijd

---

55

---

Td(uit)

Uitschakelvertragingstijd

---

62

---

Tf

Herfst tijd

---

22

---

Cis

Ingangscapaciteit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

7752

---

pF

Kos

Uitgangscapaciteit

---

1120

---

Crss

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

---

650

---

 

 


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons