WSD2090DN56 N-kanaal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

producten

WSD2090DN56 N-kanaal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

korte beschrijving:


  • Modelnummer:WSD2090DN56
  • BVDSS:20V
  • RDSON:2,8mΩ
  • Identiteitskaart:80A
  • Kanaal:N-kanaal
  • Pakket:DFN5*6-8
  • Product zomers:De spanning van de WSD2090DN56 MOSFET is 20V, de stroom is 80A, de weerstand is 2,8mΩ, het kanaal is N-kanaal en het pakket is DFN5*6-8.
  • Toepassingen:Elektronische sigaretten, drones, elektrisch gereedschap, fascia-pistolen, PD, kleine huishoudelijke apparaten, enz.
  • Productdetail

    Sollicitatie

    Productlabels

    Algemene beschrijving

    De WSD2090DN56 is de best presterende N-Ch MOSFET met extreem hoge celdichtheid, die uitstekende RDSON en poortlading biedt voor de meeste synchrone buck-convertertoepassingen. De WSD2090DN56 voldoet aan de RoHS- en Green Product-vereiste. 100% EAS gegarandeerd met goedgekeurde volledige functionele betrouwbaarheid.

    Functies

    Geavanceerde Trench-technologie met hoge celdichtheid, Super Low Gate Charge, uitstekende afname van het CdV/dt-effect, 100% EAS-garantie, groen apparaat beschikbaar

    Toepassingen

    Schakelaar, Power System, Load Switch, elektronische sigaretten, drones, elektrisch gereedschap, fascia-pistolen, PD, kleine huishoudelijke apparaten, enz.

    bijbehorende materiaalnummer

    AOS AON6572

    Belangrijke parameters

    Absolute maximale waarden (TC=25℃tenzij anders vermeld)

    Symbool Parameter Max. Eenheden
    VDSS Afvoerbronspanning 20 V
    VGSS Gate-bronspanning ±12 V
    ID@TC=25℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 80 A
    ID@TC=100℃ Continue afvoerstroom, VGS @ 10V1 59 A
    IDM Gepulseerde afvoerstroom Opmerking 1 360 A
    EAS Enkele gepulseerde lawine-energienoot 2 110 mJ
    PD Vermogensdissipatie 81 W
    RθJA Thermische weerstand, verbinding met behuizing 65 ℃/W
    RθJC Thermische weerstand aansluitkast 1 4 ℃/W
    TJ, TSTG Bedrijfs- en opslagtemperatuurbereik -55 tot +175

    Elektrische kenmerken (TJ=25 ℃, tenzij anders vermeld)

    Symbool Parameter Voorwaarden Min Typ Max Eenheden
    BVDSS Doorslagspanning afvoerbron VGS=0V, ID=250μA 20 24 --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS-temperatuurcoëfficiënt Verwijzing naar 25℃, ID=1mA --- 0,018 --- V/℃
    VGS(th) Poortdrempelspanning VDS= VGS, ID=250μA 0,50 0,65 1,0 V
    RDS(AAN) Statische afvoerbron op weerstand VGS=4,5V, ID=30A --- 2.8 4,0
    RDS(AAN) Statische afvoerbron op weerstand VGS=2,5V, ID=20A --- 4,0 6,0
    IDSS Nul-poort spanningsafvoerstroom VDS=20V,VGS=0V --- --- 1 μA
    IGSS Lekstroom poortlichaam VGS=±10V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Cis Ingangscapaciteit VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ --- 3200 --- pF
    Kos Uitgangscapaciteit --- 460 ---
    Crss Omgekeerde overdrachtscapaciteit --- 446 ---
    Qg Totale poortkosten VGS=4,5V,VDS=10V,ID=30A --- 11.05 --- nC
    Qgs Gate-source-kosten --- 1,73 ---
    Qgd Gate-Drain-lading --- 3.1 ---
    tD(aan) Inschakelvertragingstijd VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω --- 9.7 --- ns
    tr Stijgtijd inschakelen --- 37 ---
    tD(uit) Uitschakelvertragingstijd --- 63 ---
    tf Uitschakel valtijd --- 52 ---
    VSD Diode voorwaartse spanning IS=7,6A,VGS=0V --- --- 1.2 V

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons